济南晶正电子科技有限公司王金翠获国家专利权
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龙图腾网获悉济南晶正电子科技有限公司申请的专利一种二次离子注入薄膜晶圆方法、复合薄膜及电子元器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141630B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111452356.5，技术领域涉及：H01L21/425；该发明授权一种二次离子注入薄膜晶圆方法、复合薄膜及电子元器件是由王金翠;张涛;张秀全;连坤;刘桂银设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二次离子注入薄膜晶圆方法、复合薄膜及电子元器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种二次离子注入薄膜晶圆方法、复合薄膜及电子元器件，所述方法包括：准备薄膜晶圆与非同质衬底晶圆；对所述薄膜晶圆执行两次离子注入处理，其中第一次离子注入的深度与第二次离子注入的深度差值为20nm‑200nm，得到包含余质层、第一注入层、第二注入层和薄膜层四层结构的薄膜晶圆注入片；对所述薄膜晶圆注入片与所述非同质衬底晶圆执行键合，得到键合体；对所述键合体执行热处理，得到分离气泡层；在所述分离气泡层处剥离掉所述余质层，使得所述余质层与所述薄膜层分离，得到复合薄膜。本申请通过二次离子注入，使薄膜晶圆和衬底晶圆不会产生较大热膨胀系数的差异，也就不会导致薄膜层炸裂，进而提高了薄膜晶圆的成品良率。
本发明授权一种二次离子注入薄膜晶圆方法、复合薄膜及电子元器件在权利要求书中公布了：1.一种二次离子注入薄膜晶圆方法，其特征在于，所述方法包括： 准备薄膜晶圆与非同质衬底晶圆； 对所述薄膜晶圆执行两次离子注入处理，其中第一次离子注入的深度与第二次离子注入的深度差值为20nm-200nm，所述第一次离子注入和所述第二次离子注入的离子相同，注入的离子为氦离子、氢离子、氮离子或氩离子，得到包含余质层、第一注入层、第二注入层和薄膜层四层结构的薄膜晶圆注入片； 对所述薄膜晶圆注入片与所述非同质衬底晶圆执行键合，得到键合体； 对所述键合体执行热处理，所述热处理的温度范围在150℃-210℃，在所述第一注入层形成第一气泡层，在所述第二注入层形成第二气泡层，所述第一气泡层和所述第二气泡层融合成分离气泡层； 在所述分离气泡层处剥离掉所述余质层，使得所述余质层与所述薄膜层分离，得到复合薄膜。
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