天津大学程振洲获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种基于纳米级厚度微型谐振腔的气体传感器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117074302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310683345.0，技术领域涉及：G01N21/01；该发明授权一种基于纳米级厚度微型谐振腔的气体传感器件是由程振洲;贺祺;郭荣翔;郎玘玥;肖运帷;刘铁根设计研发完成，并于2023-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于纳米级厚度微型谐振腔的气体传感器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于纳米级厚度微型谐振腔的气体传感器件，包括微型谐振腔和总线波导，其中，微型谐振腔的厚度h小于一百纳米，形成巨大的倏逝场能量，与周围环境中的气体发生剧烈作用，总线波导位于纳米级厚度的微型谐振腔器件的一侧，实现对微型谐振腔中光场的耦合测量。所提出波导结构不仅极大的增强了光场与环境气体的相互作用，提高了气体传感器件的性能，而且显著降低了器件的有效折射率，改善了器件的加工制作容差，为实现高灵敏度、高可靠性的片上气体传感器以及片上多参量传感器奠定了基础。
本发明授权一种基于纳米级厚度微型谐振腔的气体传感器件在权利要求书中公布了：1.一种基于纳米级厚度微型谐振腔的气体传感器件，其特征在于，包括衬底、微型谐振腔和总线波导，所述衬底由顶部硅层和底部硅层构成，所述顶部硅层和底部硅层之间设置有绝缘层；所述微型谐振腔和总线波导设置于顶部硅层，微型谐振腔的厚度小于一百纳米，小于工作波长尺寸的16，以形成能量占比超过50％的倏逝场能量，与周围环境中的气体发生作用；所述总线波导位于微型谐振腔器件的一侧，实现对微型谐振腔中光场的耦合测量；所述微型谐振腔和总线波导的两侧设置有亚波长光栅包层结构，通过蚀刻液穿过所述亚波长光栅包层结构实现对微型谐振腔和总线波导下方的绝缘层进行刻蚀得到空腔，使所述微型谐振腔和总线波导形成悬空结构；所述的气体传感器件能够工作在可见光、近红外、中红外波段。
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