中国人民解放军国防科技大学王洪磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种利用合成樟脑制备碳涂层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116676774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310683164.8，技术领域涉及：D06M11/74；该发明授权一种利用合成樟脑制备碳涂层的方法是由王洪磊;杨蕊设计研发完成，并于2023-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用合成樟脑制备碳涂层的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用合成樟脑制备碳涂层的方法，该方法包括：S1、在坩埚底部铺一层合成樟脑，然后在合成樟脑上方放入经脱胶处理的纤维，再在纤维表面覆盖一层合成樟脑，拧紧坩埚；S2、将装有纤维和合成樟脑的坩埚放入裂解炉中进行分段高温处理，然后随炉冷却，得到表面覆有碳涂层的纤维。采用本方法制备碳涂层，操作简单，效率高，成本低廉，环保安全。
本发明授权一种利用合成樟脑制备碳涂层的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用合成樟脑制备碳涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在坩埚底部铺一层合成樟脑，加入合成樟脑的量不少于坩埚容积的12且不超过坩埚容积的45，加入的合成樟脑与纤维的质量比为（250~500）:1，然后在合成樟脑上方放入经脱胶处理的纤维，再在纤维表面覆盖一层合成樟脑，拧紧坩埚；所述坩埚能耐1250℃以上的高温； 所述的纤维为SiC纤维或Al2O3纤维； S2、将装有纤维和合成樟脑的坩埚放入裂解炉中进行分段高温处理，具体包括：在Ar气氛或真空条件下，按照1℃min的升温速率，将装有纤维和合成樟脑的坩埚升温至160℃~250℃，保温2~3h，再以5~10℃min的升温速率升温至500℃~1200℃，保温2~3h，然后随炉冷却； 依次将热解樟脑并沉积碳涂层过程循环2~6次提高涂层的连续性和均匀性，并使得纤维表面涂层逐次加厚，得到表面覆有碳涂层的纤维，碳涂层的厚度提高到100nm以上。
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