深圳光峰科技股份有限公司赵家琦获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳光峰科技股份有限公司申请的专利离子束刻蚀系统以及装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223193754U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422410485.3，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型离子束刻蚀系统以及装置是由赵家琦;苏晓磊;李屹设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子束刻蚀系统以及装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种离子束刻蚀系统以及装置，包括：离子束组件，用于出射多个离子束；载片组件，用于承载刻蚀基底，刻蚀基底用于被多个离子束刻蚀形成倾斜光栅结构，刻蚀基底所在平面与离子束组件的出射面之间的夹角呈设定角度；旋转组件，用于通过带动目标组件绕其对应的第一旋转轴旋转，以控制刻蚀基底上的不同区域在不同时刻被不同的离子束刻蚀，第一旋转轴平行于目标离子束的出射方向，目标组件包括离子束组件以及载片组件中的至少一个。如此，由于旋转过程中投射至刻蚀基底同一区域的离子束的轰击能量发生变化，但离子束的刻蚀方向以及角度不变，可以提升刻蚀形成的倾斜光栅结构的均匀性，并保持倾斜光栅结构的倾斜角度以及倾斜方向不变。
本实用新型离子束刻蚀系统以及装置在权利要求书中公布了：1.一种离子束刻蚀系统，其特征在于，所述离子束刻蚀系统包括： 离子束组件，所述离子束组件用于出射多个离子束； 载片组件，设置于所述多个离子束的出射方向上，所述载片组件用于承载刻蚀基底，所述刻蚀基底用于被所述多个离子束刻蚀形成倾斜光栅结构，所述刻蚀基底所在平面与所述离子束组件所在平面之间的夹角呈设定角度； 旋转组件，与目标组件连接，所述旋转组件用于通过带动所述目标组件绕所述目标组件对应的第一旋转轴旋转，使所述多个离子束在所述刻蚀基底的投射位置发生变化，以控制所述刻蚀基底上的不同区域在不同时刻被不同的离子束刻蚀，所述目标组件对应的第一旋转轴平行于目标离子束的出射方向，所述目标组件包括所述离子束组件以及所述载片组件中的至少一个，所述目标离子束包括所述多个离子束中的至少一个。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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