克罗米斯有限公司弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫获国家专利权
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龙图腾网获悉克罗米斯有限公司申请的专利用于功率应用和射频应用的工程化衬底结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256068B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111369484.3，技术领域涉及：H01L21/30；该发明授权用于功率应用和射频应用的工程化衬底结构是由弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;杰姆·巴斯切里;莎丽·法伦斯设计研发完成，并于2017-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于功率应用和射频应用的工程化衬底结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于功率应用和射频应用的工程化衬底结构，所述衬底包括支撑结构，该支撑结构包括：多晶陶瓷芯；第一粘附层，其耦合到多晶陶瓷芯；导电层，其耦合到第一粘附层；第二粘附层，其耦合到导电层；和阻挡层，其耦合到第二粘附层。所述衬底还包括：氧化硅层，其耦合到支撑结构；实质单晶硅层，其耦合到氧化硅层；和外延III‑V层，其耦合到实质单晶硅层。
本发明授权用于功率应用和射频应用的工程化衬底结构在权利要求书中公布了：1.一种制造衬底的方法，所述方法包括： 通过以下步骤形成支撑结构： 提供多晶陶瓷芯， 形成耦合到所述多晶陶瓷芯的第一粘附层， 形成耦合到所述第一粘附层的导电层， 形成耦合到所述导电层的第二粘附层，以及 形成耦合到所述第二粘附层的阻挡层； 形成耦合到所述支撑结构的键合层； 将单晶硅层接合到所述键合层；以及 形成耦合到所述单晶硅层的一个或多个外延III-V层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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