买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州赛芯电子科技有限公司申请的专利提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路及充放电电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109449891B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811536650.2，技术领域涉及：H02H7/18；该发明授权提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路及充放电电路是由蒋锦茂;谭健设计研发完成，并于2018-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路及充放电电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路及充放电电路。电池保护电路包括：基本保护电路、钳压电路、栅极衬底控制电路和充放电控制MOS管；充放电控制MOS管的源极或漏极的一端连接至电池，另一端连接至充电器或负载，栅极和衬底连接至栅极衬底控制电路；基本保护电路检测电池的充放电情况，向栅极衬底控制电路发送控制信号，使栅极衬底控制电路根据控制信号控制充放电控制MOS管的导通情况，从而对电池的充放电进行控制；钳压电路用于钳制栅极衬底控制电路的供电电压，防止栅极衬底控制电路、充放电控制MOS管损坏。本发明可使电池保护电路免受尖峰电压和直流高电压的破坏，延长充放电电路的使用寿命。

本发明授权提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路及充放电电路在权利要求书中公布了：1.一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，特征在于，包括：基本保护电路、钳压电路、栅极衬底控制电路和充放电控制MOS管； 所述充放电控制MOS管的源极和漏极的一端连接至电池负端，所述充放电控制MOS管的源极和漏极的另一端连接至充电器负极或负载；所述充放电控制MOS管的栅极和衬底分别连接至所述栅极衬底控制电路； 所述基本保护电路检测电池的充放电情况，向所述栅极衬底控制电路发送控制信号，使所述栅极衬底控制电路根据所述控制信号控制所述充放电控制MOS管的导通情况，从而对电池的充放电进行控制； 所述钳压电路用于钳制栅极衬底控制电路的供电电压； 所述基本保护电路具体包括： 基准电路，放电过流比较器、放电短路比较器、充电过流比较器、过放电压比较器、过充电压比较器、延时电路、充放电检测电路；所述控制信号包括第一控制信号VCHOC1、第二控制信号VOC2以及第三控制信号VOD2； 所述基准电路用于产生所述放电过流比较器的正输入信号VOC1；所述放电短路比较器的正输入信号VSHORT；所述充电过流比较器的负输入信号VCHOC；所述过放电压比较器的负输入信号VODV；所述过充电压比较器的正输入信号VOCV；以及产生过温保护电路的输入信号VPN及VOTP； 所述过温保护电路，用于检测在充放电时所述电池保护电路所集成芯片的温度，并同所述基本保护电路共同控制所述控制信号的发送； 所述放电过流比较器基于正输入信号VOC1与负输入信号虚拟接地电压VM1的大小比较结果，输出高电平VDD或低电平VGND； 所述放电短路比较器基于正输入信号VSHORT与负输入信号虚拟接地电压VM1的大小比较结果，输出高电平VDD或低电平VGND； 所述充电过流比较器基于正输入信号虚拟接地电压VM1与负输入信号VCHOC的大小比较结果，输出高电平VDD或低电平VGND；并向所述栅极衬底控制电路输出所述第一控制信号VCHOC1； 所述过充电压比较器基于正输入信号VOCV与VDD电压经过电阻分压后的负输入信号VROCV的大小比较结果，输出高电平VDD或低电平VGND； 所述过放电压比较器基于VDD电压经过电阻分压后的正输入信号VRODV与负输入信号VODV的大小比较结果，输出高电平VDD或低电平VGND； 所述延时电路基于所述放电过流比较器的输出结果、所述放电短路比较器的输出结果、所述充电过流比较器的输出结果、所述过充电压比较器的输出结果、以及所述过放电压比较器的输出结果，进行各自相应的延时，再经过逻辑处理输出所述第二控制信号VOC2以及所述第三控制信号VOD2。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州赛芯电子科技有限公司，其通讯地址为：215021 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园4B6单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。