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龙图腾网获悉中芯长电半导体(江阴)有限公司申请的专利重新布线层的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111489979B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910078439.9，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权重新布线层的制备方法及半导体结构是由周祖源;赵强;吴政达;林正忠设计研发完成，并于2019-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本重新布线层的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种重新布线层的制备方法及半导体结构，半导体结构包括基底及位于基底上表面的重新布线层；重新布线层包括介质层，介质层中包括贯穿介质层的沟槽；金属种子层，金属种子层覆盖介质层的上表面以及沟槽的底部及侧壁；第一金属层，第一金属层填满沟槽；第二金属层，第二金属层覆盖第一金属层，且第二金属层的宽度大于第一金属层的宽度，并覆盖位于介质层的上表面的金属种子层。本发明通过保形电镀法制备第一金属层，以缩短工艺周期，降低工艺成本；通过填满沟槽的第一金属层，可提高重新布线层的平坦度，避免在形成的重新布线层中产生凹槽，从而有利于后续制程工艺，并降低多层叠加的工艺风险，进一步降低工艺难度及成本。

本发明授权重新布线层的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种重新布线层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供基底，于所述基底的上表面形成介质层； 图形化所述介质层，以在所述介质层中形成贯穿所述介质层的沟槽； 形成金属种子层，所述金属种子层覆盖所述介质层的上表面以及所述沟槽的底部及侧壁； 形成第一掩膜层，并图形化所述第一掩膜层，以在所述第一掩膜层中形成第一窗口，使得所述第一掩膜层覆盖位于所述介质层上的所述金属种子层，并通过所述第一窗口显露位于所述沟槽的底部及侧壁的所述金属种子层； 基于所述第一窗口，形成第一金属层，所述第一金属层填满所述沟槽； 去除所述第一掩膜层； 形成第二掩膜层，并图形化所述第二掩膜层，以在所述第二掩膜层中形成第二窗口，并通过所述第二窗口显露所述第一金属层以及位于所述介质层的部分上表面的所述金属种子层，且所述第二窗口的宽度大于所述第一窗口的宽度； 基于所述第二窗口，形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述第一金属层，所述第二金属层与所述第一金属层所构成的截面形貌为T字形貌，所述第一金属层与所述第二金属层具有相同材料； 去除所述第二掩膜层及位于所述第二掩膜层下方的所述金属种子层，以在所述基底上形成所述重新布线层。

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