长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利芯片及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910312046.X，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权芯片及其形成方法是由刘志拯设计研发完成，并于2019-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片及其形成方法在说明书摘要公布了：一种芯片及其形成方法，所述芯片包括：衬底，所述衬底包括存储区域和外围区域；存储阵列，形成在所述存储区域内；至少一个反熔丝器件，形成在所述外围区域内，所述反熔丝器件用于修复所述存储阵列内由失效存储单元造成的存储缺陷；所述反熔丝器件包括：位于衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；在平行于衬底表面方向的所述栅极结构一侧的衬底内的掺杂区，所述掺杂区的至少部分边缘与所述栅极的边缘对齐或位于所述栅极下方。所述反熔丝器件更易被击穿。
本发明授权芯片及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括存储区域和外围区域； 存储阵列，形成在所述存储区域内； 至少一个反熔丝器件，形成在所述外围区域内，所述反熔丝器件用于修复所述存储阵列内由失效存储单元造成的存储缺陷； 所述反熔丝器件包括： 位于衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极； 在平行于衬底表面方向的所述栅极结构一侧的衬底内的掺杂区； 所述反熔丝器件采用MOS结构，直接以所述栅极结构为掩膜形成所述掺杂区，使得所述掺杂区的至少部分边缘与所述栅极的边缘对齐或位于所述栅极下方；所述外围区域的衬底包括有源区和围绕所述有源区的隔离区；所述栅极结构覆盖部分所述有源区及部分隔离区，仅暴露出位于所述栅极一侧的部分有源区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号