福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910591043.4，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及其形成方法是由童宇诚;周运帆;黄德浩;朱贤士;黄丰铭设计研发完成，并于2019-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。通过将电性传导结构设置在沟槽隔离结构上，以利用沟槽隔离结构上方的空间，从而可以缩减电性传导结构在整个半导体集成电路中所占用的空间，进而有利于实现所构成的半导体集成电路的尺寸缩减。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 沟槽隔离结构，形成在一衬底的隔离沟槽中，其中所述沟槽隔离结构包括多层绝缘层，所述多层绝缘层依次覆盖所述隔离沟槽的内壁，并且所述多层绝缘层中位于最内层的绝缘层顶表面相对于衬底顶表面更为下沉，以构成第一凹槽在所述隔离沟槽中；所述多层绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层依次覆盖所述隔离沟槽的内壁，所述第三绝缘层位于所述多层绝缘层的最内层以填充所述隔离沟槽，所述第一绝缘层的顶表面相对于所述第二绝缘层更为下沉；所述第三绝缘层的顶表面低于所述第二绝缘层的顶表面，以利用所述第二绝缘层围绕出所述第一凹槽在所述第三绝缘层的上方；以及， 电性传导结构，形成在所述衬底上且至少部分位于所述沟槽隔离结构上，并且所述电性传导结构完全填充所述第一凹槽；其中，所述电性传导结构包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层填充所述第一凹槽并延伸出所述隔离沟槽，所述第二导电层形成在所述第一导电层上。
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