富士电机株式会社甲斐健志获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110943047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910661160.3，技术领域涉及：H01L21/98；该发明授权半导体装置的制造方法是由甲斐健志;丸山力宏设计研发完成，并于2019-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置的制造方法，能够将多个不同的部件适当地接合在导电板上。准备在正面设定有第一配置区域、以及位于高度与第一配置区域不同的位置的第二配置区域的导电板。接着，在第一配置区域涂敷第一接合材料，在第二配置区域涂敷与第一接合材料不同的第二接合材料。接着，能够经由第一接合材料将第一部件接合在第一配置区域，并经由第二接合材料将第二部件接合在第二配置区域。在该情况下，在导电板，设定在正面的第一配置区域与第二配置区域的高度不同。因此，通过例如利用孔版印刷来灵活使用掩模，从而能够在第一配置区域和第二配置区域分别涂敷适用于第一部件和第二部件的不同的第一接合材料和第二接合材料。
本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有： 准备工序，准备在正面分别设定有第一配置区域和第二配置区域的同一导电板，所述第二配置区域位于比所述第一配置区域高的位置； 涂敷工序，利用形成有与所述第一配置区域相对应的第一开口的第一掩模，覆盖包括所述第二配置区域的所述导电板，经由所述第一开口而在所述第一配置区域不超过所述第二配置区域的高度地涂敷未硬化的第一接合材料，在所述第一接合材料的涂敷后，代替所述第一掩模，利用形成有与所述第二配置区域相对应的第二开口且配置于所述导电板的面为平坦的第二掩模，覆盖包括不超过所述第二配置区域的高度地涂敷了未硬化的所述第一接合材料的所述第一配置区域的所述导电板，经由所述第二开口而在所述第二配置区域涂敷与所述第一接合材料不同的未硬化的第二接合材料；以及 接合工序，将第一部件经由所述第一接合材料接合在所述第一配置区域，并将第二部件经由所述第二接合材料接合在所述第二配置区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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