广东致能科技有限公司黎子兰获国家专利权
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龙图腾网获悉广东致能科技有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910817283.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件及其制造方法是由黎子兰设计研发完成，并于2019-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开内容提供一种半导体器件及其制作方法，所述器件包括衬底；在所述衬底上形成的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的第二半导体层；所述第一半导体层具有比所述第二半导体层更小的禁带宽度；在所述第二半导体层上形成的第一电极，第二电极和第三电极；与所述第三电极对应的所述第一半导体层中具有强P‑型掺杂的第一区域，与所述第二电极对应的所述第一半导体层中具有弱P‑型掺杂的第二区域。本公开内容有助于实现如下效果之一：减小栅极漏电流，具有高阈值电压、高功率、高可靠性，能够实现低导通电阻和器件的常关状态，能够提供稳定的阈值电压，从而使得半导体器件具有良好的开关特性，在使用中更安全。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其包括： 衬底； 所述衬底第一表面上的第一半导体层； 所述第一半导体层的第一表面上的第二半导体层； 所述第一半导体层与所述第二半导体层之间产生二维电荷载流子气； 在所述第二半导体层上的第一电极、第二电极和第三电极； 其中第一半导体层中还包括强P-型掺杂的第一区域，以及弱P-型掺杂的第二区域；所述第一区域位于第三电极下方，所述第二区域位于第二电极下方； 其中所述第一区域投影到衬底的区域位于第三电极投影到衬底的区域范围内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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