微软技术许可有限责任公司R·L·M·奥普·海特·维尔德获国家专利权
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龙图腾网获悉微软技术许可有限责任公司申请的专利制造栅极的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115362553B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080099443.4，技术领域涉及：H10N69/00；该发明授权制造栅极的方法是由R·L·M·奥普·海特·维尔德;J·P·H·荣格;P·J·范维尔德霍芬设计研发完成，并于2020-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造栅极的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体‑超导体纳米线的方法，包括：在衬底11的沟槽上方形成具有第一开口的第一非晶掩模；通过选择性区域生长在第一开口中形成单晶导电材料13，从而在衬底的沟槽中形成纳米线15、16的栅极；在衬底11和栅极13上方形成第二掩模，第二掩模也是非晶的并且具有第二开口的图案；在第二开口中形成绝缘晶体缓冲层15；通过选择性区域生长在第二开口15中的缓冲层上形成晶体半导体材料16以形成纳米线的芯，其中栅极13在衬底11的平面中与芯16相交；以及在每个芯的至少部分上方形成超导材料涂层。
本发明授权制造栅极的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造包括多个半导体-超导体纳米线的器件的方法，每个半导体-超导体纳米线包括相应半导体芯以及在所述相应芯上方的超导材料涂层；所述方法包括： 在衬底上方形成第一掩模，所述衬底限定平面，其中所述第一掩模由非晶材料形成并且具有在所述衬底中的沟槽上方形成的第一开口的图案，并且所述衬底至少在所述沟槽的表面处包括晶体材料； 通过选择性区域生长在所述第一开口中形成单晶导电材料，以便由此在所述衬底的所述沟槽中形成所述纳米线的栅极； 在所述衬底和所述栅极上方形成第二掩模，所述第二掩模也是非晶的并且具有第二开口的图案； 在所述第二开口中形成绝缘晶体缓冲层； 通过选择性区域生长在所述第二开口中的所述缓冲层上形成晶体半导体材料，以便形成所述纳米线的所述芯，其中所述栅极与所述衬底的所述平面中的所述芯相交；以及 在所述芯的每个芯的至少部分上方形成所述超导材料涂层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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