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龙图腾网获悉雅安百图高新材料股份有限公司;成都百图高新材料科技有限公司;上海百图高新材料科技有限公司申请的专利一种抛光用氧化铝粉体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116354374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310327150.2，技术领域涉及：C01F7/02；该发明授权一种抛光用氧化铝粉体及其制备方法是由王程民;黄君;柏向阳;王大忠;陆琤设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抛光用氧化铝粉体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抛光用氧化铝粉体及其制备方法，该方法包括：选取氢氧化铝原料，加入热纯水中，并加入生长剂，配置第一浆液；向所述第一浆液中加入pH调节剂，调节至酸性，研磨，获得氢氧化铝母液；将所述氢氧化铝母液经陶瓷膜洗涤，浓缩，获得第二浆液；将所述第二浆液进行水热晶化处理，处理后经陶瓷膜洗涤，干燥获得氧化铝前驱体；将所述氧化铝前驱体进行煅烧，获得氧化铝粉体。该方法工序简单，易于控制，制得的氧化铝粉体呈平板状结构，形状规则，棱角少，表面平整，粒径及厚度尺寸适宜，适于用作半导体晶圆的精抛材料。

本发明授权一种抛光用氧化铝粉体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抛光用氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，选取氢氧化铝原料，加入热纯水中，并加入生长剂，配制第一浆液； 步骤S2，向所述第一浆液中加入pH调节剂，调节至酸性，在酸性体系中研磨，获得氢氧化铝母液； 步骤S3，将所述氢氧化铝母液经陶瓷膜洗涤，浓缩，获得第二浆液； 步骤S4，将所述第二浆液进行水热晶化处理，处理后经陶瓷膜洗涤，干燥获得氧化铝前驱体； 步骤S5，将所述氧化铝前驱体进行煅烧，获得氧化铝粉体； 其中，在步骤S1中，所述热纯水的温度为50-80℃，所述氢氧化铝原料先加入热纯水充分搅拌润湿，然后再加入生长剂充分搅拌混合，反应0.5-3h，配制的所述第一浆液中氢氧化铝的固含量在40%以上； 所述生长剂为二氧化钛、硫酸钾、硫酸钠、氟化铝、氟化铵、三氟化钛和硫酸铝中的一种或多种；所述生长剂的添加量按质量计，其添加量为所述氢氧化铝原料质量的0.3-0.8%； 在步骤S2中，研磨时间为0.5-5h，所述氢氧化铝母液固含物的粒度≤200nm； 在步骤S3中，所述第二浆液的固含量在40%，且所述第二浆液的电导率≤50μscm； 所述步骤S4中，水热晶化处理后，经陶瓷膜多次洗涤，控制洗涤后浆液的固含量在40%，电导率在10-50μscm范围内；获得的所述氧化铝前驱体的粒度≤500nm。

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