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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)申请的专利三维隧道磁阻传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117630772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311320837.X，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权三维隧道磁阻传感器及其制造方法是由姜帅;孙恒超;方东明;杜君;李良;董贤光;孙艳玲;闻志国;季润可;陶毅;王蔓蓉;牛长胜设计研发完成，并于2023-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维隧道磁阻传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及磁传感器领域，提供一种三维隧道磁阻传感器及其制造方法。所述三维隧道磁阻传感器包括至少两个相同的隧道磁阻芯片，每一隧道磁阻芯片均包括第一磁敏单元及第二磁敏单元，第一磁敏单元及第二磁敏单元形成于同一衬底，第一磁敏单元用于感应水平方向的磁场，第二磁敏单元用于感应垂直方向的磁场，两个相同的隧道磁阻芯片以倒装焊的方式进行封装，使两个隧道磁阻芯片的第一磁敏单元面对面互联，两个隧道磁阻芯片的第二磁敏单元面对面互联，形成全桥结构。本发明通过一次制备工艺即可同时确定三个方向TMR结构的磁化方向，采用倒装焊技术实现三个方向磁敏单元的全桥结构，缩小了三维隧道磁阻传感器的体积，减少了误差。

本发明授权三维隧道磁阻传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维隧道磁阻传感器，其特征在于，包括至少两个相同的隧道磁阻芯片； 每一隧道磁阻芯片均包括第一磁敏单元及第二磁敏单元，第一磁敏单元及第二磁敏单元形成于同一衬底，第一磁敏单元用于感应水平方向的磁场，第二磁敏单元用于感应垂直方向的磁场； 两个相同的隧道磁阻芯片以倒装焊的方式进行封装，使两个隧道磁阻芯片的第一磁敏单元面对面互联，两个隧道磁阻芯片的第二磁敏单元面对面互联，形成全桥结构； 第一磁敏单元包括多个X方向磁敏单元以及多个Y方向磁敏单元，X方向磁敏单元包括形成于衬底X方向的凹槽，Y方向磁敏单元包括形成于衬底Y方向的凹槽，凹槽具有第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁与第二侧壁相交呈夹角，凹槽的第一侧壁表面和第二侧壁表面均设置有电极层，电极层包括底电极层和顶电极层； 多个X方向磁敏单元依次级联，前一个X方向磁敏单元的位于第一侧壁表面的顶电极层与下一个X方向磁敏单元的位于第一侧壁表面的底电极层互联，前一个X方向磁敏单元的位于第二侧壁表面的底电极层与下一个X方向磁敏单元的位于第二侧壁表面的顶电极层互联； 多个Y方向磁敏单元依次级联，前一个Y方向磁敏单元的位于第一侧壁表面的顶电极层与下一个Y方向磁敏单元的位于第一侧壁表面的底电极层互联，前一个Y方向磁敏单元的位于第二侧壁表面的底电极层与下一个Y方向磁敏单元的位于第二侧壁表面的顶电极层互联。

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