杭州镓仁半导体有限公司王琤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州镓仁半导体有限公司申请的专利一种氧化镓晶体生长炉获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223176257U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202322824575.2，技术领域涉及：C30B29/16；该实用新型一种氧化镓晶体生长炉是由王琤;杨守智;沈典宇;王芸霞设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓晶体生长炉在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种氧化镓晶体生长炉，包括炉体和升降机构，炉体内的功能组件将炉体的内腔分隔出生长腔和预热退火腔，升降机构包括坩埚和升降组件，升降组件能够带动坩埚进出生长腔和预热退火腔，以使坩埚内的物料能够在预热退火腔内进行预热，在生长腔内完成氧化镓晶体生长，生长完成的氧化镓晶体在预热退火腔内进行退火。本实用新型的生长炉采用生长腔和预热退火腔分隔开来的双腔结构，且功能组件能够散热状态和隔热状态之间进行切换，以适应氧化镓晶体生长和退火处理的不同温度需求，生长完成的氧化镓晶体在预热退火腔内进行原位退火，大幅减少了晶体位错。
本实用新型一种氧化镓晶体生长炉在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓晶体生长炉，其特征在于，包括： 炉体，所述炉体内设置有功能组件，且所述功能组件将所述炉体的内腔分隔出生长腔和预热退火腔，所述功能组件具有连通孔，所述生长腔利用所述连通孔与所述预热退火腔相连通，所述生长腔内设置第一加热器，所述预热退火腔内设置第二加热器；所述功能组件能够在散热状态和隔热状态之间进行切换； 升降机构，所述升降机构包括坩埚和升降组件，所述坩埚能够容纳氧化镓籽晶，所述坩埚设置于所述升降组件上，所述升降组件滑动设置于所述炉体内，所述升降组件能够带动所述坩埚往复运动，以进出所述生长腔以及所述预热退火腔，且所述升降组件能够封堵所述连通孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州镓仁半导体有限公司，其通讯地址为：311202 浙江省杭州市萧山区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼205-62；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号