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龙图腾网获悉广东工贸职业技术学院申请的专利一种用于含黑磷的场效应晶体管的性能评价方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581354B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411664259.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种用于含黑磷的场效应晶体管的性能评价方法及装置是由吴倩设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于含黑磷的场效应晶体管的性能评价方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于含黑磷的场效应晶体管的性能评价方法及装置，方法具体包括如下步骤：制备含黑磷的场效应晶体管；通过在第一可控环境变量的电学特性测量，给出场效应晶体管的传输模型；获取偏压温度不稳定性数据，分析失效行为；结合沟道缺陷及表面电势的表征，优化场效应晶体管的传输模型、以及对失效行为的分析；结合优化后的传输模型及对失效行为的分析，实现针对含黑磷的场效应晶体管的性能评价。本发明将电学特性测量、偏压温度不稳定性数据的失效分析以及缺陷与表面电势的表征进行融合，给出优化后的传输模型及失效行为分析，能够更有效的指导含黑磷的场效应晶体管中异质结材料选取、场效应晶体管器件结构设计及制备工艺的优化。

本发明授权一种用于含黑磷的场效应晶体管的性能评价方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种用于含黑磷的场效应晶体管的性能评价方法，其特征在于，具体包括如下步骤： 制备含黑磷的场效应晶体管； 通过在第一可控环境变量的电学特性测量，给出场效应晶体管的传输模型； 获取偏压温度不稳定性数据，分析失效行为； 结合沟道缺陷及表面电势的表征，优化场效应晶体管的传输模型、以及对失效行为的分析； 结合优化后的传输模型及对失效行为的分析，实现针对含黑磷的场效应晶体管的性能评价； 其中，结合沟道缺陷和表面电势的表征，优化场效应晶体管的传输模型，具体包括如下步骤： 采用扫描探针显微镜对场效应晶体管进行转移特性及输出特性测试，给出沟道缺陷和沟道表面电势； 基于沟道缺陷给出场效应晶体管的等效沟道尺寸以及理想沟道尺寸，并分别结合沟道表面电势的分布分析沟道中心的电流，具体表示为： 其中，ID,C,0为理想沟道尺寸下沟道中心的电流，W0为理想沟道的宽度，nC,0为理想沟道尺寸下的载流子密度，μC,0为理想沟道尺寸下沟道中心位置的迁移率，q为电子的电荷量，FD，0,x＝0ydy为理想沟道尺寸下沟道横向为零时的纵向的线表面电势，ID，C为等效沟道尺寸下沟道中心的电流，Wsc为等效沟道的宽度，nC为等效沟道尺寸下的载流子密度，μC为等效沟道尺寸下沟道中心位置的迁移率，FD,x＝0ydy为等效沟道尺寸下沟道横向为零时的纵向的线表面电势； 基于对沟道中心的电流的分析比对，给出传输调整系数，对场效应晶体管的传输模型进行优化，具体表示为： 其中，η为传输调整系数，μlin'为优化后线性状态下的平均迁移率，μsat'为优化后饱和状态下的平均迁移率，ID,lin为线性状态下的源漏电流，W为沟道的宽度，L为沟道的长度，Ci为SiO2介电层的单位面积电容，VGS为栅极测量电压，VTH为栅极阈值电压，VD为源漏电压，ID,sat为饱和状态下的源漏电流。

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