中山芯承半导体有限公司蔡琨辰获国家专利权
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龙图腾网获悉中山芯承半导体有限公司申请的专利一种高纵横比玻璃基板的制作方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411674101.7，技术领域涉及：H05K3/00；该发明授权一种高纵横比玻璃基板的制作方法及结构是由蔡琨辰;李伦荣;柯昌兵设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高纵横比玻璃基板的制作方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高纵横比玻璃基板的制作方法及结构，本案通过步骤A至C在两块基板上分别形成低纵横比的导通孔，再利用异方性导电胶将两块基板堆叠黏合，显著降低了制作难度，提高了成孔精度和良率。步骤D在低纵横比的导通孔上沉积种子层，降低了制程能力要求，突破了业界限制，节省了生产成本，同时提高了沉积质量和良率。步骤E和F则基于已制作的低纵横比导通孔，进行电镀填孔，再利用异方性导电胶导通孔底，大幅降低了电镀填孔的制程能力要求，节省了成本，确保了填充均匀，降低了孔隙率，提高了导电性能和可靠性。整体而言，本案方案简化了工艺，降低了难度，提高了效率和良率，具有显著的技术和经济优势。
本发明授权一种高纵横比玻璃基板的制作方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种高纵横比玻璃基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤A、提供至少两块未经处理的玻璃基板，分别为第一玻璃基板（1）和第二玻璃基板（2）； 步骤B、在第一玻璃基板（1）和第二玻璃基板（2）上分别形成低纵横比的导通孔； 步骤C、利用异方性导电胶将两块玻璃基板上下堆叠黏合在一起，且两块玻璃基板的低纵横比导通孔上下一一对齐； 步骤D、在每块玻璃基板表面沉积种子层，包括在所有低纵横比导通孔表面沉积种子层； 步骤E、通过电镀方式在所有低纵横比导通孔内填充导电金属; 步骤F、利用高温高压制程，使得上下一一对齐的低纵横比导通孔孔底导通,以形成高纵横比的玻璃基板结构； 其中，所述步骤C中利用异方性导电胶将两块玻璃基板上下堆叠黏合在一起时，还需要处于真空环境来进行真空贴合。
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