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龙图腾网获悉广东国研新材料有限公司申请的专利氮化硅陶瓷基片及其制备方法、流延浆料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119591411B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411788622.5，技术领域涉及：C04B35/596；该发明授权氮化硅陶瓷基片及其制备方法、流延浆料的制备方法是由陈闻杰;何峰斌;邓腾飞;杨东林设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化硅陶瓷基片及其制备方法、流延浆料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种氮化硅陶瓷基片及其制备方法、流延浆料的制备方法，流延浆料的制备方法包括有以下步骤：步骤一、浆料制备：将预处理好的氮化硅粉体添加有机溶剂混合，再加入烧结助剂、粘结剂、增韧剂和分散剂，在球磨机中球磨12‑24小时，制备出均匀稳定的浆料；步骤二、流延成型。通过优化氮化硅流延浆料的制备方法，提高了浆料的稳定性和分散性，从而保证了流延膜的质量，并配合采用特定的烧结助剂、有机溶剂、粘结剂和分散剂，通过控制制备过程中的搅拌速度、球磨时间等参数，使氮化硅粉体在浆料中均匀分散，一致性与稳定性高，流延厚度易于控制，干燥制度简单，生坯强度与韧性较高。

本发明授权氮化硅陶瓷基片及其制备方法、流延浆料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种流延浆料的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤： 步骤一、浆料制备：将预处理好的氮化硅粉体添加有机溶剂混合，再加入烧结助剂、粘结剂、增韧剂和分散剂，在球磨机中球磨12-24小时，制备出均匀稳定的浆料；所述氮化硅粉体的预处理包括有以下步骤： （1）预烧：将上述氮化硅粉体置于还原气氛中进行预烧，预烧温度为800-1000℃，预烧时间为3-5小时； （2）破碎处理：预烧后的氮化硅粉体进行破碎处理，将氮化硅粉体破碎至平均粒径为0.4-1.6μm； （3）表面改性处理：采用硅烷偶联剂对破碎后的氮化硅粉体进行表面改性处理：将氮化硅粉体加入到含有硅烷偶联剂的乙醇溶液中，硅烷偶联剂的添加量为氮化硅粉体质量的1%-3%，乙醇溶液的浓度为70%-90%，然后在50-70℃的温度下搅拌反应4-6小时； 所述烧结助剂、粘结剂、增韧剂、分散剂的添加量分别为氮化硅粉体质量的5%-8%、4%-6%、3%-7%、2%-4%；所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；增韧剂为甲壳素纳米晶；分散剂为聚丙烯酸铵； 所述有机溶剂为乙醇、丁酮、甲苯、乙酸乙酯和异丙醇的混合物，乙醇、丁酮、甲苯、乙酸乙酯和异丙醇体积比为2.5-3.5：1.5-2.5：0.8-1.2：0.5-1：0.5-1； 步骤二、流延成型：将步骤一的浆料倒入流延机的料槽中，通过刮刀控制浆料的厚度，在流延带上形成均匀的薄膜，流延速度为0.2-1.5mmin，流延后的薄膜在室温下自然干燥12-18小时，使其初步固化形成氮化硅基片坯体。

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