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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种基于MEMS的材料腐蚀电化学测量传感器及其制备方法和材料腐蚀电化学测量设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119666718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411875685.4，技术领域涉及：G01N17/02；该发明授权一种基于MEMS的材料腐蚀电化学测量传感器及其制备方法和材料腐蚀电化学测量设备是由杨小佳;李清;朱仁政;王昕煜;卫达设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MEMS的材料腐蚀电化学测量传感器及其制备方法和材料腐蚀电化学测量设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种基于MEMS的材料腐蚀电化学测量传感器及其制备方法和材料腐蚀电化学测量设备，涉及材料腐蚀传感器技术领域。该传感器包括：工作电极‑辅助电极模块，包括第一硅衬底、工作电极和辅助电极，第一硅衬底设置有凹陷部，工作电极设置在凹陷部的内壁一侧和底部，辅助电极设置在凹陷部的内壁的相对另一侧和底部，工作电极、辅助电极和凹陷部形成容置空间；参比电极模块，包括第二硅衬底和参比电极，参比电极设置在第二硅衬底的一侧且形成凸起部，第二硅衬底开设通孔；凸起部设置在容置空间内，第一硅衬底和第二硅衬底固定连接。本申请提供的传感器，能够实现材料服役失效评价过程中腐蚀数据原位实时高通量在线采集及挖掘分析。

本发明授权一种基于MEMS的材料腐蚀电化学测量传感器及其制备方法和材料腐蚀电化学测量设备在权利要求书中公布了：1.一种基于MEMS的材料腐蚀电化学测量传感器，其特征在于，包括： 工作电极-辅助电极模块，所述工作电极-辅助电极模块包括第一硅衬底、工作电极和辅助电极，所述第一硅衬底设置有凹陷部，所述工作电极设置在所述凹陷部的内壁一侧和底部，所述辅助电极设置在所述凹陷部的内壁的相对另一侧和底部，所述工作电极、所述辅助电极和所述凹陷部形成容置空间； 参比电极模块，所述参比电极模块包括第二硅衬底和参比电极，所述参比电极设置在所述第二硅衬底的一侧且形成凸起部，所述第二硅衬底沿厚度方向开设通孔； 所述凸起部设置在所述容置空间内且所述工作电极、所述辅助电极和所述参比电极互不连接，所述第一硅衬底和所述第二硅衬底固定连接； 所述工作电极与所述参比电极的间距为1000-2000μm，所述工作电极和所述辅助电极的间距为1000-5000μm； 所述工作电极和所述辅助电极的截面呈L型； 所述工作电极、所述辅助电极和所述参比电极采用目标待测金属材料制备。

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