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龙图腾网获悉南昌大学申请的专利一种硅基PbSe单晶薄膜及其制备方法和红外光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119352166B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411907726.3，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权一种硅基PbSe单晶薄膜及其制备方法和红外光电探测器是由王启胜;万予;冷康敏;成者设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基PbSe单晶薄膜及其制备方法和红外光电探测器在说明书摘要公布了：本发明属于材料生长技术领域，具体涉及一种硅基PbSe单晶薄膜及其制备方法和红外光电探测器，包括基底、石墨烯层和PbSe薄膜层，基底为硅或二氧化硅基底；其中，硅基PbSe单晶薄膜的表面粗糙度为4nm~10nm，缺陷密度为0.8nm‑2~1.2nm‑2，半峰宽为0.15°~0.2°；制备方法包括：采用湿法转移工艺将至少一层石墨烯转移至硅基底或二氧化硅基底表面，形成石墨烯层；采用化学气相沉积方法在石墨烯层上外延生长PbSe薄膜层。本发明的有益效果是本发明获得了在功能性基底（硅二氧化硅）上高质量，单晶性优秀，表面平整的PbSe薄膜，同时优秀的表面平整度也更有利于阵列工艺的应用，有望实现硅基PbSe大面积阵列的应用。

本发明授权一种硅基PbSe单晶薄膜及其制备方法和红外光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种硅基PbSe单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 将生长在铜箔上的单层或多层石墨烯表面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯，烘干后放入KOH溶液中浸泡至聚甲基丙烯酸甲酯漂浮起来； 使用硅基底或二氧化硅基底捞起漂浮起来的所述聚甲基丙烯酸甲酯，过水后烘干，最后放入丙酮溶液中浸泡，冲水吹干，在所述硅基底或二氧化硅基底表面形成石墨烯层，得到带有石墨烯层的硅基底或二氧化硅基底； 采用化学气相沉积方法在所述石墨烯层上外延生长PbSe，形成PbSe薄膜层，得到硅基PbSe单晶薄膜； 采用所述制备方法得到的硅基PbSe单晶薄膜包括基底、设置在所述基底上的石墨烯层以及设置在所述石墨烯层上的PbSe薄膜层，所述基底为硅基底或二氧化硅基底； 其中，所述硅基PbSe单晶薄膜的表面粗糙度为4nm~10nm； 所述硅基PbSe单晶薄膜的缺陷密度为0.8nm-2~1.2nm-2； 所述硅基PbSe单晶薄膜的半峰宽为0.15°~0.2°； 所述硅基PbSe单晶薄膜具有（200）晶面取向； 所述石墨烯层的厚度为0.3nm~1.2nm； 所述PbSe薄膜层的厚度为80nm~100nm； 所述基底的硅晶面为（100）面。

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