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龙图腾网获悉吉安伊戈尔磁电科技有限公司申请的专利一种低压双层层式绕组结构及变压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811862B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411962211.3，技术领域涉及：H01F27/32；该发明授权一种低压双层层式绕组结构及变压器是由赵楠楠;吴豫辉;刘新春;毛翔;龚美萍;肖思惠;胡玉芳设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低压双层层式绕组结构及变压器在说明书摘要公布了：本发明涉及变压器技术领域，特别涉及一种低压双层层式绕组结构及变压器，其中，低压双层层式绕组结构包括内纸筒、内层绕组、若干个油道撑条、绝缘筒和外层绕组；若干个油道撑条设置于内层绕组和外层绕组之间，每个油道撑条背离内层绕组的一面沿自身厚度方向均开设有搭接槽，绝缘筒搭接于若干个油道撑条的搭接槽，且油道撑条对应搭接槽的槽壁与绝缘筒的侧面贴合；搭接槽对应内层绕组的击穿风险区和外层绕组的击穿风险区设置。本发明有效减小外层绕组的幅向尺寸，减少线圈用量，降低生产成本，解决了现有双层层式绕组结构的外层绕组幅向尺寸过大，导致线圈用量大，生产成本高，且整体绕组结构占用空间大，导致变压器尺寸增大的技术问题。

本发明授权一种低压双层层式绕组结构及变压器在权利要求书中公布了：1.一种低压双层层式绕组结构，应用于变压器，其特征在于，包括内纸筒、内层绕组、若干个油道撑条、绝缘筒和外层绕组； 所述内层绕组环绕所述内纸筒设置，所述外层绕组设置于所述内层绕组远离所述内纸筒的一侧，所述外层绕组靠近所述内纸筒的一侧设有所述绝缘筒，所述内层绕组和所述外层绕组均包括非击穿风险区和击穿风险区，所述内层绕组的非击穿风险区和所述外层绕组的非击穿风险区所对应的所述油道撑条设置于所述内层绕组和所述外层绕组之间，所述内层绕组的击穿风险区和所述外层绕组的击穿风险区所对应的所述油道撑条设置于所述内层绕组和所述绝缘筒之间，每个所述油道撑条均沿所述内纸筒的轴向方向延伸设置，以在所述内层绕组和所述外层绕组之间形成一层散热油道； 每个所述油道撑条背离所述内层绕组的一面沿自身厚度方向均开设有搭接槽，所述绝缘筒的高度与所述搭接槽的长度相适配，所述绝缘筒搭接于所述若干个油道撑条的所述搭接槽，且所述油道撑条对应所述搭接槽的槽壁与所述绝缘筒的侧面贴合； 所述搭接槽对应所述内层绕组的所述击穿风险区和所述外层绕组的所述击穿风险区设置。

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