湖南工程学院;湖南科鑫泰电子科技有限公司邓永和获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南工程学院;湖南科鑫泰电子科技有限公司申请的专利一种用于降低钽酸锂晶片透光率的纳米还原剂及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119433718B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510027719.2，技术领域涉及：C30B33/00；该发明授权一种用于降低钽酸锂晶片透光率的纳米还原剂及其制备方法是由邓永和;高明;文大东;刘文越;刘雨晴设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于降低钽酸锂晶片透光率的纳米还原剂及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于降低钽酸锂晶片透光率的纳米还原剂及其制备方法，属于钽酸锂晶片加工辅助材料技术领域。其中纳米还原剂制备方法步骤包括：将二氧化硅、炭黑、硅粉、氧化钇与乙醇混合，球磨干燥后在氮气氛围下烧结，获得多孔氮化硅；将硫酸亚铁与草酸混合，搅拌至完全溶解，获得草酸亚铁悬浮液；将多孔氮化硅在草酸亚铁悬浮液中浸泡，获得吸附有草酸亚铁的多孔氮化硅；将吸附有草酸亚铁的多孔氮化硅与乙醇混合，球磨至纳米级，冲洗，干燥即得纳米还原剂。上述制得的纳米还原剂可用于钽酸锂晶片黑化工序，降低钽酸锂晶片的透光率。
本发明授权一种用于降低钽酸锂晶片透光率的纳米还原剂及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于降低钽酸锂晶片透光率的纳米还原剂的制备方法，其特征在于，步骤包括： 步骤一、将二氧化硅、炭黑、硅粉、氧化钇按质量比9～12:3～5:1:2～6混合，再按质量比1:2～2.5将混合粉末与乙醇混合，球磨干燥后在氮气氛围下烧结，获得多孔氮化硅； 步骤二、将硫酸亚铁与草酸按摩尔比1:1～1.2混合，搅拌至完全溶解，获得草酸亚铁悬浮液； 步骤三、将步骤一制备的多孔氮化硅在步骤二制备的草酸亚铁悬浮液中浸泡，控制pH值在2.4～2.6，浸泡16～30h，获得吸附有草酸亚铁的多孔氮化硅； 步骤四、将步骤三获得的吸附有草酸亚铁的多孔氮化硅与乙醇按质量比1:2～2.5混合，球磨至纳米级，冲洗，干燥即得纳米还原剂。
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