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龙图腾网获悉慧石(上海)测控科技有限公司申请的专利一种三轴加速芯片及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120028574B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510178384.4，技术领域涉及：G01P15/125；该发明授权一种三轴加速芯片及制作方法是由郭欣榕;陈倩;张磊;余伦宙设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三轴加速芯片及制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种三轴加速芯片及制作方法，在本申请的技术方案中，通过将X轴方向检测电容组、Z轴负方向检测电容组和Y轴方向检测电容组、Z轴正方向检测电容组在厚度方向间隔，避免了X、Y轴的串扰，降低了设计难度，并且，X轴方向检测电容组、Z轴负方向检测电容组所在的上功能层，和Y轴方向检测电容组、Z轴正方向检测电容组所在的下功能层设计图形完全一致，可以使用同样的版图和工艺完成加工，节省了工艺调试的时间和成本。

本发明授权一种三轴加速芯片及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三轴加速度芯片，其特征在于：包括从三轴加速度芯片顶部到底部依次设置的上功能层、中间层和下功能层；所述上功能层用于检测X轴方向和Z轴负方向加速度，所述下功能层用于检测Y轴方向和Z轴正方向加速度，所述中间层用于分隔所述上功能层和所述下功能层； 所述上功能层至少包括上层质量块、上层连接边框和上层检测电容组，其中，所述上层质量块通过上层弹性梁与所述上层连接边框固定连接，所述上层检测电容组为两组X轴方向检测电容组和两组Z轴负方向检测电容组，所述两组X轴方向检测电容组沿X轴镜像对称刻蚀于所述上层质量块，所述两组Z轴负方向检测电容组沿Y轴镜像对称刻蚀于所述上层质量块； 所述中间层由中间连接边框和中间浅槽组成，所述中间层的顶部与底部均刻蚀有所述中间浅槽，所述中间连接边框的高度高于所述中间浅槽，所述中间浅槽位于所述中间层中间位置，被所述中间连接边框包裹； 所述下功能层至少包括下层质量块、下层连接边框和下层检测电容组，其中，所述下层质量块通过下层弹性梁与所述下层连接边框固定连接，所述下层检测电容组为两组Y轴方向检测电容组和两组Z轴正方向检测电容组，所述两组Y轴方向检测电容组沿Y轴镜像对称刻蚀于所述下层质量块，所述两组Z轴正方向检测电容组沿X轴镜像对称刻蚀于所述下层质量块； 其中，所述上功能层与所述下功能层基于同样的版图和工艺完成蚀刻加工。

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