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龙图腾网获悉珠海市沃德科技有限公司申请的专利半导体陶瓷基电路板及其高精度加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835878B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510301911.6，技术领域涉及：H05K3/42；该发明授权半导体陶瓷基电路板及其高精度加工方法是由彭树荣;吴执东;李常红设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体陶瓷基电路板及其高精度加工方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体陶瓷基电路板及其高精度加工方法，具体包括：提供基板，基板上预设有低温共烧陶瓷原料层；在低温共烧陶瓷原料层上开设通孔，并在通孔中填充金属浆料；通过微波对低温共烧陶瓷原料层及金属浆料进行低温共烧，令低温共烧陶瓷原料层烧结成共烧陶瓷层，共烧陶瓷层中嵌设由金属浆料形成的金属柱；将镍粉覆盖于金属柱的柱端面，并通过激光将镍粉熔融覆盖于金属柱上，形成镍层。通过微波加热使得低温共烧陶瓷原料层内外同步加热，提高通孔的位置精度和尺寸精度。通过激光熔覆将镍粉熔融并覆盖在金属柱的柱端面，形成镍层，能防止金属柱从通孔分离；能够维持通孔的位置精度和尺寸精度，并维持结构的稳定性。

本发明授权半导体陶瓷基电路板及其高精度加工方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体陶瓷基电路板的高精度加工方法，其特征在于，包括： 步骤S100、提供基板，基板上预设有低温共烧陶瓷原料层； 步骤S200、在低温共烧陶瓷原料层上开设呈第一直径的通孔，并在通孔中填充金属浆料； 步骤S300、通过微波对低温共烧陶瓷原料层及金属浆料进行低温共烧，令低温共烧陶瓷原料层烧结成共烧陶瓷层，共烧陶瓷层中嵌设由金属浆料形成的金属柱； 步骤S400、将镍粉覆盖于金属柱的柱端面，并通过激光将镍粉熔融覆盖于金属柱上，形成镍层； 所述步骤S200中，金属浆料通过通孔中的环体填充于通孔，且环体于烧结过程中被去除，环体的尺寸与金属柱的烧结形变量、低温共烧陶瓷原料层的烧结形变量相关； 所述步骤S200，具体包括： 步骤S201、根据金属柱的烧结形变量、低温共烧陶瓷原料层在通孔处的烧结形变量，计算环体的壁厚t； 步骤S210、在低温共烧陶瓷原料层上开设呈第一直径的通孔，并根据第一直径提供与通孔相匹配的环体；其中，环体根据第一直径及壁厚t成型； 步骤S220、在第一通孔中设置环体，并在环体的内侧填充金属浆料。

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