合肥晶合集成电路股份有限公司王娇获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及一种半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920684B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510413378.2，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体结构的制备方法及一种半导体结构是由王娇;王春;胡春丽设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及一种半导体结构在说明书摘要公布了：半导体结构的制备方法及一种半导体结构，属于半导体加工技术领域，特别涉及CMOS图像传感器的像素制作；解决了现有CIS工艺所存在的采用厚光阻旋涂导致的高深宽比（深宽比3:1）的孤立光阻图形在甩干过程中，受离心力作用容易倒塌侧移的问题；所述半导体结构的制备方法的孤立光阻图形的加工方法包括以下步骤：对光刻胶涂层进行曝光、显影，形成多个初始孤立光阻图形；每个初始孤立光阻图形的四周为曝光位置，保留曝光位置底部给定厚度的光刻胶，使多个初始孤立光阻图形的底部连成一体。所述的半导体结构的制备方法，适用于制备CMOS图像传感器。
本发明授权半导体结构的制备方法及一种半导体结构在权利要求书中公布了：1.半导体结构的制备方法，所述制备方法包括孤立光阻图形的加工步骤，其特征在于，所述孤立光阻图形的加工步骤包括： 在半导体晶圆的表面上，采用厚光阻旋涂，形成光刻胶涂层； 对光刻胶涂层进行曝光、显影，形成多个初始孤立光阻图形；每个初始孤立光阻图形的四周为曝光位置，所述曝光中，保证所述曝光位置底部保留给定厚度的光刻胶，使多个初始孤立光阻图形的底部连成一体； 采用灰化工艺，去除曝光位置底部给定厚度的光刻胶，暴露出下面的半导体晶圆表面，获得底部不连接的多个加工完成的孤立光阻图形； 所述初始孤立光阻图形的特征尺寸预留冗余； 在灰化工艺之后，所述方法还包括离子注入步骤。
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