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龙图腾网获悉深圳市万微半导体有限公司申请的专利一种电池充电温度保护芯片的控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120016659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510498702.5，技术领域涉及：H02J7/00；该发明授权一种电池充电温度保护芯片的控制电路是由刘磊设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电池充电温度保护芯片的控制电路在说明书摘要公布了：本发明涉及电子电路技术领域，公开了一种电池充电温度保护芯片的控制电路，包括若干MOS管、若干电阻、触发器、电容、连接器，所述若干MOS管中的MOS管Q1源极接MOS管Q3漏极、电阻R4一端，漏极接触发器U1第三引脚、电阻R14一端；MOS管Q2栅极接MOS管Q3栅极、MOS管Q7漏极，源极接MOS管Q3源极、电容C1一端、电阻R13一端，漏极接电阻R3一端；触发器U1第一引脚接电阻R6一端，第二引脚接第六引脚，第四引脚、电阻R3、电阻R6另一端接电源；MOS管Q7源极接连接器P1端；电阻R4、电阻R13、电阻R14、电容C1另一端接地。

本发明授权一种电池充电温度保护芯片的控制电路在权利要求书中公布了：1.一种电池充电温度保护芯片的控制电路，其特征在于，包括若干MOS管、若干电阻、若干运放、触发器、电容、连接器、二极管，所述若干MOS管中的MOS管Q1源极接MOS管Q3漏极、电阻R4一端，漏极接触发器U1第三引脚、电阻R14一端；MOS管Q2栅极接MOS管Q3栅极、MOS管Q7漏极，源极接MOS管Q3源极、电容C1一端、电阻R13一端，漏极接电阻R3一端；触发器U1第一引脚接电阻R6一端，第二引脚接第六引脚，第四引脚、电阻R3、电阻R6另一端接电源；MOS管Q7源极接连接器P1端；电阻R4、电阻R13、电阻R14、电容C1另一端接地； 运放U2同相端接触发器U1第五引脚，反相端接电阻R1、电阻R2一端，输出端接MOS管Q1、MOS管Q4栅极；运放U3同相端接二极管D1阴极、电容C2一端，反相端接电阻R11、电阻R12一端，输出端接MOS管Q7栅极；MOS管Q4漏极接MOS管Q2栅极，源极接电阻R9一端；二极管D1阳极接电阻R9另一端；电阻R2、电阻R11另一端接电源；电阻R1、电阻R12、电容C2另一端接地； MOS管中的MOS管Q5栅极接二极管D3阴极，源极接电阻R16、电阻R17一端，漏极接二极管D2阳极；二极管D2阴极接运放U3同相端、连接器P4端；二极管D3阳极接运放U2输出端；电阻R16另一端接电源；电阻R17另一端接地；连接器P1用于接收低温启充的预热开始预热结束信号，控制电路第一次获得预热信号反馈时，MOS管Q2导通，MOS管Q3截止；控制电路失去预热信号反馈时，MOS管Q2截止，MOS管Q3导通，触发器U1的第三引脚能够获得一次高电平信号，触发器U1的第五引脚输出高电平，运放U2输出，MOS管Q1截止，MOS管Q1截止使控制电路在获得第二次预热信号反馈时限制触发器U1的第三引脚再次获得高电平信号反馈，MOS管Q4导通；当控制电路获得第二次预热信号反馈时，电容C2端电位上升，同时电容C2端信号经连接器P4反馈到调节单元。

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