买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利电子束邻近效应和刻蚀负载效应联合校正方法及掩模版获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120029012B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510502671.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权电子束邻近效应和刻蚀负载效应联合校正方法及掩模版是由罗先刚;徐建东;高平;赵博文;张涛;赵泽宇设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子束邻近效应和刻蚀负载效应联合校正方法及掩模版在说明书摘要公布了：本公开提供一种电子束邻近效应和刻蚀负载效应联合校正方法及掩模版，涉及半导体制造技术领域。电子束邻近效应和刻蚀负载效应联合校正方法包括：基于电子束邻近效应对待校正版图进行校正，得到第一校正版图，第一校正版图为对待校正版图补偿电子束邻近效应导致的第一轮廓偏移后得到的版图；基于刻蚀负载效应对待校正版图进行校正，得到第二校正版图，第二校正版图为对待校正版图补偿刻蚀负载效应导致的第二轮廓偏移后得到的版图；对第一校正版图和第二校正版图作交集处理，得到联合校正版图；基于联合校正版图制备掩模版，掩模版的掩模图形中每个图形元素的尺寸在预设尺寸范围内。

本发明授权电子束邻近效应和刻蚀负载效应联合校正方法及掩模版在权利要求书中公布了：1.一种电子束邻近效应和刻蚀负载效应联合校正方法，其特征在于，包括： 对待校正版图等网格化处理，确定在对电子束抗蚀剂进行单位剂量的电子束直写曝光时，电子束抗蚀剂中能量分布的点扩散函数和每个网格的电子束初始曝光剂量；基于所述点扩散函数和所述每个网格的电子束初始曝光剂量确定所述待校正版图中非图形化区域的第一偏移像素块，以用于补偿电子束邻近效应导致的第一轮廓偏移；根据所述待校正版图和所述第一偏移像素块生成第一校正版图； 在掩模基板表面依次形成遮光层和电子束抗蚀剂；基于所述待校正版图对所述电子束抗蚀剂进行电子束直写曝光和显影，对所述遮光层进行刻蚀处理，获得初始掩模版；获得所述初始掩模版的掩模图形中每个图形元素的刻蚀轮廓与所述待校正版图中对应的每个图形元素的轮廓之间的第二偏移像素块，以用于补偿刻蚀负载效应导致的第二轮廓偏移；根据所述待校正版图和所述第二偏移像素块生成第二校正版图； 对所述第一校正版图和所述第二校正版图作交集处理，得到联合校正版图； 基于所述联合校正版图制备掩模版，所述掩模版的掩模图形中每个图形元素的尺寸在预设尺寸范围内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院光电技术研究所，其通讯地址为：610209 四川省成都市双流区光电大道1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。