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华硼中子科技(杭州)有限公司谢宇鹏获国家专利权

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龙图腾网获悉华硼中子科技(杭州)有限公司申请的专利加速器中子源靶复合过渡层及其水热-磁控溅射制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120026290B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510504986.4,技术领域涉及:C23C14/35;该发明授权加速器中子源靶复合过渡层及其水热-磁控溅射制备方法是由谢宇鹏;王雅茹;张凡曦;王盛;司怡昕;陈晨设计研发完成,并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

加速器中子源靶复合过渡层及其水热-磁控溅射制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及中子源靶领域,公开了一种加速器中子源靶复合过渡层及其水热‑磁控溅射制备方法。该复合过渡层位于基材与靶材层之间,包括通过水热法沉积并经酸洗焙烧附着于基材表面的TiO2层,以及沉积于TiO2层表面的钽层。本发明通过水热法先在基材表面沉积形成特定形貌的TiO2层,然后通过磁控溅射沉积钽层。一方面,TiO2层可通过自身变形减小基材和钽层之间由于热膨胀系数不匹配而产生的应力,从而起到缓冲作用;另一方面,本发明还发现特定形貌的TiO2晶格结构还可诱导钽原子在生长过程中按照特定方向沉积,避免钽层内部由于原子无序排列而产生应力,最终提高钽层与基材的结合力,降低钽层开裂风险。

本发明授权加速器中子源靶复合过渡层及其水热-磁控溅射制备方法在权利要求书中公布了:1.一种加速器中子源靶,包括基材与靶材层,其特征在于:基材与靶材层之间设有复合过渡层,包括附着于基材表面的TiO2层和沉积于TiO2层表面的钽层; TiO2层由含TiO2的碱性沉积液经水热反应生成钛酸盐沉积于基材表面并经酸洗、焙烧后形成; TiO2层的微观形貌包括以下至少一种: a)呈堆积的纳米管结构:碱性沉积液中碱浓度9-11molL,TiO20.4-0.5gL;水热反应温度130-140℃,时间22-24h; b)呈堆积的纳米片结构:碱性沉积液中碱浓度9-11molL;TiO20.4-0.5gL;水热反应温度130-140℃,时间10-12h; c)呈纳米网络状多孔结构:碱性沉积液中碱浓度5-7molL;TiO20.4-0.5gL;水热反应温度100-110℃,时间10-12h; d)呈堆积的纳米球结构:碱性沉积液中碱浓度9-11molL;TiO20.4-0.5gL;水热反应温度100-110℃,时间10-12h; e)呈堆积的纳米针状凸起结构:碱性沉积液中碱浓度5-7molL;TiO20.4-0.5gL;水热反应温度130-140℃,时间10-12h。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华硼中子科技(杭州)有限公司,其通讯地址为:310000 浙江省杭州市上城区同协路1279号西子智慧产业园1号楼203-206室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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