西安交通大学马春蕊获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利低、中场应用介电薄膜材料和电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120006238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510502572.8，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权低、中场应用介电薄膜材料和电容器及其制备方法是由马春蕊;葛虎设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本低、中场应用介电薄膜材料和电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于电容器材料技术领域，具体涉及低、中场应用介电薄膜材料和电容器及其制备方法。本发明通过采用固相烧结法将SrTiO3与BiMg23Ta13O3复合，制成陶瓷靶材，然后将陶瓷靶材采用射频磁控溅射，于不同氧压下进行沉积，制得了低、中场应用介电薄膜材料。本发明通过将BiMg23Ta13O3引入至SrTiO3顺电体系材料的极化调控作用中，然后分别在不同氧压下进行物相沉积生长，沉积的氧压越低，低、中场应用介电薄膜材料内部的缺陷越多，以形成缺陷偶极的方式提高低、中场应用介电薄膜材料电阻率，增大其击穿场强，改善其漏电特性，同时提升其饱和极化强度。
本发明授权低、中场应用介电薄膜材料和电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.低、中场应用介电薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 按照化学式0.85SrTiO3-0.15BiMg23Ta13O3的化学成分配比，分别称取SrCO3、TiO2、Bi2O3、MgO和Ta2O5； 将SrCO3、TiO2、Bi2O3、MgO和Ta2O5球磨混合后，进行预烧结，得到预烧结粉料； 将预烧结粉料球磨后与粘结剂混合，经压制成坯、烧结排胶，得到前驱体材料； 将前驱体材料采用固相烧结法制成陶瓷靶材； 采用射频磁控溅射，以导电钛酸锶为基底，将陶瓷靶材在基底的导电表面上形成介电薄膜层，在低于陶瓷靶材熔点温度下退火后，得到低、中场应用介电薄膜材料； 其中，射频磁控溅射的氧压为0.04mbar~0.23mbar。
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