吉林省巨程智造光电技术有限公司杨东来获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉吉林省巨程智造光电技术有限公司申请的专利大口径单晶硅非球面高精度抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120044803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510517654.X，技术领域涉及：G05B13/04；该发明授权大口径单晶硅非球面高精度抛光方法是由杨东来;李薇;高斯凯;张慧;周正;邢闯设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本大口径单晶硅非球面高精度抛光方法在说明书摘要公布了：本申请涉及光学加工技术领域，本申请提供一种大口径单晶硅非球面高精度抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：S10：获取大口径单晶硅非球面的全口径面形误差分布并映射至离散网格；S20：构建驻留时间分布优化模型和抛光路径规划优化模型，以大口径单晶硅非球面的面形误差参数作为输入，输出最优驻留时间分布矩阵和抛光路径序列；S30：基于最优驻留时间分布矩阵和抛光路径序列，对大口径单晶硅非球面进行抛光处理；S40：每次抛光循环后，重复S10‑S40步骤至达到迭代次数。本申请通过构成“时间分配‑路径规划‑动态校准”的闭环控制方法，显著提升大口径非球面抛光的面形精度和效率。
本发明授权大口径单晶硅非球面高精度抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种大口径单晶硅非球面高精度抛光方法，其特征在于，包括以下步骤： S10：获取大口径单晶硅非球面的全口径面形误差分布并映射至离散网格； S20：构建驻留时间分布优化模型和抛光路径规划优化模型，以大口径单晶硅非球面的面形误差参数作为输入，输出最优驻留时间分布矩阵和抛光路径序列； S30：基于最优驻留时间分布矩阵和抛光路径序列，对大口径单晶硅非球面进行抛光处理； S40：每次抛光循环后，重复S10-S40步骤至达到迭代次数； 所述S20中的驻留时间分布优化模型，公式如下： 式中，W为大口径单晶硅非球面的表面离散化网格区域集合，Regionx和Regiony为区域x与y的面形误差参数，SynergyRegionx，Regiony为区域x与y的协同去除效率函数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人吉林省巨程智造光电技术有限公司，其通讯地址为：130021 吉林省长春市北湖科技开发区航空街4084号新兴产业示范园项目一期工程4号厂房101号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号