山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司陈浩然获国家专利权
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龙图腾网获悉山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请的专利一种LED芯片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120051067B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510533748.6，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权一种LED芯片结构及其制备方法是由陈浩然;苏康;李拓;娄博杰设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种LED芯片结构以及制备方法。本公开提供了一种LED芯片结构及其制备方法，其中，所述结构包括：衬底，以及位于衬底上的依次堆叠的成核层、缓冲层和n型GaN层；位于n型GaN层上的隔离层；贯穿隔离层的纳米柱阵列，其中，纳米柱阵列包括多个呈阵列排布的纳米柱单元，每个纳米柱单元包括多个不同直径的纳米柱。本公开通过在LED芯片上形成纳米柱阵列，因为纳米柱阵列包含多种不同直径的纳米柱，能够实现不同波长的光的发射，因此能够实现LED芯片的高像素、高光效的全色显示；并且因为在LED芯片上集成了全色显示，因此避免了传统LED显示制造所用的巨量转移与键合技术，大幅提高了LED芯片良率并显著降低了制造成本。
本发明授权一种LED芯片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片结构，其特征在于，所述结构包括： 衬底，以及位于所述衬底上的依次堆叠的成核层、缓冲层和n型GaN层； 位于所述n型GaN层上的隔离层； 贯穿所述隔离层的纳米柱阵列，其中，所述纳米柱阵列包括多个呈阵列排布的纳米柱单元，每个所述纳米柱单元包括多个不同直径的纳米柱；每个所述纳米柱单元中，多个不同直径的纳米柱按直径大小顺序沿第一方向排列，其中，所述第一方向为平行于所述衬底平面的方向；或者，每个所述纳米柱单元中，多个不同直径的纳米柱呈多边形排列；所述纳米柱的直径越小，纳米柱内的铟原子组分的比例越高，纳米柱对应的发光波长越长。
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