华中科技大学;华中科技大学温州先进制造技术研究院毛明磊获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学;华中科技大学温州先进制造技术研究院申请的专利一种阴离子变价型层状硫化物镁电池正极材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120184220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510541288.1，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种阴离子变价型层状硫化物镁电池正极材料及制备方法是由毛明磊;闫凯杰;张国群;王成亮设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阴离子变价型层状硫化物镁电池正极材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电池材料技术领域，具体涉及一种阴离子变价型层状硫化物镁电池正极材料及其制备方法。所述正极材料包括MgnV1‑xCrxS2，其中，0≤n≤0.5，0＜x＜1，其具体制备方法为：取含Mg源，V源，Cr源，S源的物质，按照Mg:V:Cr:S的原子摩尔比为n:1‑x:x:2进行混合均匀；将步骤一的混合原料在惰性气体保护下放入密闭的反应容器中；将反应容器升温至600~1400℃，保持2~72h，降温后得到MgnV1‑xCrxS2，将MgnV1‑xCrxS2应用于镁电池的正极，能够达到提高电池的工作电压，提升正极材料的能量密度的技术效果。
本发明授权一种阴离子变价型层状硫化物镁电池正极材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阴离子变价型硫化物镁电池的正极材料，其特征在于，所述正极材料包括MgnV1-xCrxS2，其中，0≤n≤0.5，0＜x＜1；所述MgnV1-xCrxS2为层状硫化物的晶体结构，为六方晶系，Pm1空间群，其中，过渡金属Cr的3d轨道与非金属S的3p轨道重叠；所述正极材料的制备方法，具体包括如下步骤： 步骤一：取含Mg源，V源，Cr源，S源的物质，按照Mg:V:Cr:S的原子摩尔比为n:1-x:x:2进行混合均匀，其中，0≤n≤0.5，0＜x＜1； 步骤二：将步骤一的混合原料在惰性气体保护下放入密闭的反应容器中； 步骤三：将所述反应容器升温至600~1400℃，保持2~72h，降温后得到MgnV1-xCrxS2。
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