合肥晶合集成电路股份有限公司曹开俊获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120089601B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510560282.9，技术领域涉及：H01L21/322；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由曹开俊;宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域。本发明包括提供包括PMOS区和NMOS区的基底，形成凹槽位于PMOS区中栅极结构两侧的基底内，形成应力隔离层填满凹槽，形成张应力记忆层覆盖NMOS区的硬掩膜层和PMOS区的应力隔离层，对张应力记忆层进行退火处理；本发明通过将张应力记忆层和PMOS晶体管的源漏区相应凹槽的制备工艺顺序进行调整的方式，实现利用应力隔离层具有可阻断张应力记忆层的应力传递的作用，避免张应力记忆层在退火过程中对PMOS晶体管的影响，即保证了PMOS晶体管的器件性能，并同时提高了NMOS晶体管的电子迁移率，进而实现了简化CMOS器件的制程工序和降低制造成本（例如省去了移除PMOS区处的张应力记忆层的光罩）的目的。
本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括PMOS区和NMOS区； 形成多个相互分隔地栅极结构分别位于所述基底的PMOS区和NMOS区上； 形成硬掩膜层覆盖所述栅极结构的外表面及其两侧的基底； 形成多个凹槽分别位于所述PMOS区中的所述栅极结构两侧的基底内； 形成应力隔离层填满所述凹槽； 形成张应力记忆层覆盖所述NMOS区的所述硬掩膜层和所述PMOS区的所述应力隔离层； 对所述张应力记忆层进行退火处理； 移除所述张应力记忆层和所述应力隔离层，以重新露出所述凹槽； 形成第一嵌入式外延层填入所述凹槽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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