上海邦芯半导体科技有限公司唐乐获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种中心抽气的等离子体薄膜沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120174350B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510647330.8，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权一种中心抽气的等离子体薄膜沉积设备是由唐乐;梁洁;王兆祥;张朋兵;涂乐义;顾橙蕾设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中心抽气的等离子体薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种中心抽气的等离子体薄膜沉积设备，包括反应腔室、热台、热台底座、升降机、抽气装置以及第一、第二弹性管路；热台分为承载部和垂直设置于承载部底面中部的支撑部；承载部与反应腔室内侧具有第一间隙；支撑部底端伸出反应腔室底部与热台底座固接，支撑部与反应腔室底部具有第二间隙；升降机带动热台底座沿垂直于承载部的方向做升降运动以带动承载部升降运动；第一弹性管路套装于承载部伸出部外，且密封固接于反应腔室底部和热台底座之间，热台底座顶面通过第二弹性管路与抽气装置固接；热台底座设有一个以上贯穿孔，所述贯穿孔连通第一弹性管路和第二弹性管路构成抽气通道。本发明有效解决偏边效应问题，使薄膜膜厚均匀。
本发明授权一种中心抽气的等离子体薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种中心抽气的等离子体薄膜沉积设备，其特征在于，包括反应腔室、热台、热台底座、升降机、抽气装置、第一弹性管路和第二弹性管路； 热台由上至下分为承载部和垂直设置于承载部底面中部的支撑部；所述承载部悬空嵌设在反应腔室内，承载部用于承载晶圆，承载部与反应腔室内侧具有第一间隙；支撑部底端伸出反应腔室底部与热台底座固接，支撑部与反应腔室底部具有第二间隙；反应腔室顶部设有进气口，所述进气口朝向承载部中部；所述热台底座与升降机固接，升降机带动热台底座沿垂直于承载部的方向做升降运动，从而带动承载部升降运动； 第一弹性管路套装于承载部伸出部外，且密封固接于反应腔室底部和热台底座之间，热台底座顶面通过第二弹性管路与抽气装置固接；热台底座设有一个以上贯穿孔，所述贯穿孔连通第一弹性管路和第二弹性管路；第一间隙、第二间隙、第一弹性管路、贯穿孔、第二弹性管路构成抽气通道。
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