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龙图腾网获悉上海音特电子有限公司申请的专利一种纳米晶材料的HDMI共模抑制器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120201149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510657056.2，技术领域涉及：H04N7/01；该发明授权一种纳米晶材料的HDMI共模抑制器的制备方法是由肖南海;郭新华;严新发;洪海霞;杨斌;肖海兵设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纳米晶材料的HDMI共模抑制器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种纳米晶材料的HDMI共模抑制器的制备方法，涉及电子元件制备技术领域，为满足HDMI高频高速信号对共模噪声抑制的严苛需求，本方法通过在微结构化基底上，利用多靶磁控溅射构筑具有梯度界面的多层异质磁性薄膜；采用选择性能量场辅助退火技术，实现磁性薄膜的精准纳米晶化与磁各向异性调控；并结合微加工工艺集成高精度三维线圈结构。由此制备的共模抑制器体积小、集成度高，在高频段展现出卓越的共模抑制效能、宽广的工作带宽和优良的信号完整性，同时具备高可靠性，适用于新一代HDMI接口。

本发明授权一种纳米晶材料的HDMI共模抑制器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米晶材料的HDMI共模抑制器的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下： Sp1、基底材料的微结构化预制备：选择或制备具有预定三维微结构的非磁性或弱磁性基底材料，所述基底材料表面形成用于后续磁性材料填充的微型沟槽网络； Sp2、多层异质磁性薄膜的梯度溅射与填充：在所述基底材料的沟槽网络内及表面，交替或共溅射铁基非晶形成合金层和功能调控材料层，所述功能调控材料层选自Fe-Al-Si、AlN、SiO2或Si3N4中的一种或多种的组合； 通过控制各靶材的溅射功率、时间和气氛，在垂直于基底表面方向上形成成分梯度或多层交替的异质磁性薄膜，总厚度与基底沟槽深度相匹配； Sp3、选择性能量场辅助的纳米晶化退火：将填充并覆盖有异质磁性薄膜的基底组件置于高真空或超高纯惰性气氛中，在施加外部静态或动态磁场的同时，采用能量场进行辅助退火，以诱导磁性薄膜原位纳米晶化并优化磁各向异性；退火形成晶粒尺寸在2nm至30nm范围内的梯度或多相纳米晶非晶复合结构； Sp4、集成化线圈的微填充或自组装绕制：利用基底上预制的微型沟槽网络或磁性材料填充后形成的微通道，采用以下至少一种方式形成共模扼流线圈： Sp4.1a、将高导电性纳米金属浆料通过微注射或丝网印刷方式填充至预定线圈路径中，然后低温烧结或光固化形成导线； Sp4.1b、利用光刻胶形成线圈模具，通过电化学沉积方法在模具中生长出铜线圈； Sp5、表面钝化、封装与特性表征：对形成的器件进行原子层沉积或等离子体增强化学气相沉积形成超薄致密的钝化保护层；随后进行引脚引出和整体封装。

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