上海邦芯半导体科技有限公司仲凯获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利等离子刻蚀工艺的控制方法、等离子刻蚀设备及控制装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120221380B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510671408.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子刻蚀工艺的控制方法、等离子刻蚀设备及控制装置是由仲凯;桂智谦;涂乐义;梁洁;王兆祥;胥沛雯设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子刻蚀工艺的控制方法、等离子刻蚀设备及控制装置在说明书摘要公布了：本公开提供等离子刻蚀工艺的控制方法、等离子刻蚀设备及控制装置，该控制方法包括：利用中央光学检测装置检测等离子刻蚀腔体中央区域的中心光学信号和利用边缘光学检测装置检测等离子刻蚀腔体边缘区域的中心光学信号，获得中央区域的刻蚀速率和边缘区域的刻蚀速率，并在确定中央区域的刻蚀速率和边缘区域的刻蚀速率之间的刻蚀速率差超过刻蚀阈值范围时，调整中央区域处中央线圈组件和边缘区域处边缘线圈组件中至少一者的射频功率。该控制方法能各个区域的刻蚀状况，在发现中央区域和边缘区域的刻蚀速率相差较大时，对中央线圈组件和或边缘线圈组件进行功率调整，使得中央区域和边缘区域的刻蚀速率能达到一致或整体平衡，提供刻蚀工艺的质量。
本发明授权等离子刻蚀工艺的控制方法、等离子刻蚀设备及控制装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子刻蚀工艺的控制方法，其特征在于，应用于等离子刻蚀设备中，所述等离子刻蚀工艺的控制方法包括如下步骤： 在等离子刻蚀腔体上部的中央区域和边缘区域分别设置中央光学检测装置和边缘光学检测装置；其中，所述中央区域设有中央线圈组件，所述边缘区域设有边缘线圈组件； 利用所述中央光学检测装置和所述边缘光学检测装置分别实时检测中央区域与刻蚀速率相关的中央光学信号和边缘区域与刻蚀速率相关的边缘光学信号； 根据所述中央光学信号和所述边缘光学信号，获得中央区域的刻蚀速率和边缘区域的刻蚀速率；以及 在确定中央区域的刻蚀速率与边缘区域的刻蚀速率之间的刻蚀速率差超过预设的刻蚀阈值范围时，调整中央区域处中央线圈组件和边缘区域处边缘线圈组件中至少一者的射频功率。
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