买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江苏帝奥微电子股份有限公司申请的专利一种自适应环境温差的过温保护电路及电机驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120200184B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510677897.X，技术领域涉及：H02H7/10；该发明授权一种自适应环境温差的过温保护电路及电机驱动电路是由李双;姚金波设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自适应环境温差的过温保护电路及电机驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自适应环境温差的过温保护电路及电机驱动电路，包含功率级感知MOS管M1、电流镜电路、电阻R1、电流源Iptat和比较器CMP，功率级感知MOS管M1的漏极与电流镜电路的输入端连接，功率级感知MOS管M1的栅极连接零温漂电压V0，电流镜电路的输出端与电阻R1的一端、电流源Iptat的一端和比较器CMP的正相输入端连接，功率级感知MOS管M1的源极、电阻R1的另一端和电流源Iptat的另一端接地，比较器CMP的反向输入端连接基准电压Vref，比较器CMP的输出端产生过温保护控制信号OTP。本发明产生的温差阈值可以随环境温度的改变而自动改变。

本发明授权一种自适应环境温差的过温保护电路及电机驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种自适应环境温差的过温保护电路，其特征在于：包含功率级感知MOS管M1、电流镜电路、电阻R1、电流源Iptat和比较器CMP，功率级感知MOS管M1的漏极与电流镜电路的输入端连接，功率级感知MOS管M1的栅极连接零温漂电压V0，电流镜电路的输出端与电阻R1的一端、电流源Iptat的一端和比较器CMP的正相输入端连接，功率级感知MOS管M1的源极、电阻R1的另一端和电流源Iptat的另一端接地，比较器CMP的反向输入端连接基准电压Vref，比较器CMP的输出端产生过温保护控制信号OTP； 所述电流源Iptat包含PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6、NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、三极管Q1、三极管Q2和电阻R2，PMOS管PM1的源极、PMOS管PM3的源极、PMOS管PM5的源极和NMOS管NM1的漏极连接电源VDD，PMOS管PM1的栅极与PMOS管PM3的栅极、PMOS管PM5的栅极、PMOS管PM1的漏极和PMOS管PM2的源极连接，PMOS管PM2的栅极与PMOS管PM4的栅极、PMOS管PM6的栅极、PMOS管PM2的漏极和三极管Q1的集电极连接，PMOS管PM3的漏极与PMOS管PM4的源极连接，PMOS管PM5的漏极与PMOS管PM6的源极连接，PMOS管PM4的漏极与NMOS管NM1的栅极和三极管Q2的集电极连接，PMOS管PM6的漏极与NMOS管NM2的漏极、NMOS管NM2的栅极和NMOS管NM3的栅极连接，三极管Q1的基极与三极管Q2的基极和NMOS管NM1的源极连接，三极管Q1的发射极与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端、三极管Q2的发射极、NMOS管NM2的源极和NMOS管NM3的源极接地，NMOS管NM3的漏极产生电流IPTAT。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏帝奥微电子股份有限公司，其通讯地址为：226000 江苏省南通市崇州大道60号紫琅科技城8号楼6层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。