深圳平湖实验室房育涛获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510693239.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件及电子设备是由房育涛;胡浩林;蔡子东;高园设计研发完成，并于2025-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及电子设备在说明书摘要公布了：本公开的半导体器件及电子设备，包括：衬底；成核层，位于衬底的一侧；沟道层，位于成核层远离衬底的一侧；势垒层，位于沟道层远离成核层的一侧；缓冲层，位于成核层与沟道层之间，缓冲层包括掺杂超晶格层，掺杂超晶格层包括碳掺杂铝镓氮层和p型极化掺杂铝镓氮层。
本发明授权半导体器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 成核层，位于所述衬底的一侧； 沟道层，位于所述成核层远离所述衬底的一侧； 势垒层，位于所述沟道层远离所述成核层的一侧； 缓冲层，位于所述成核层与所述沟道层之间，所述缓冲层包括掺杂超晶格层，所述掺杂超晶格层包括碳掺杂铝镓氮层和p型极化掺杂铝镓氮层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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