华辰芯光(无锡)半导体有限公司洪斌获国家专利权
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龙图腾网获悉华辰芯光(无锡)半导体有限公司申请的专利一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120237528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510724576.0，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法是由洪斌;魏明;李明欣;向磊设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体激光器的技术领域，尤其是涉及一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法，包括衬底、N面电极、N型DBR层、N型限制层、有源区、P型限制层，P型DBR层、限制层、介质填充层、表面钝化层、P面电极、P型金属接触和ALD层，所述限制层上开设有限制孔，所述限制层的材料包括Bi₂Se₃，限制孔为旋转非对称结构。激光器的带宽和相对强度噪声RIN大幅度提升，使得通过此申请方案制备所得的激光器可以满足单通道100Gbps链路所需的高带宽和低噪声要求；创新使用Bi₂Se₃来制造VCSEL激光器的限制层，简化了VCSEL产品的制备工艺，提升产品带宽和工艺均匀性；创新使用旋转不对称形貌制造VCSEL激光器的限制层，优化产品的相对强度噪声性能。
本发明授权一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于：包括衬底1、N面电极2、N型DBR层3、N型限制层4、有源区5、P型限制层6，P型DBR层7、限制层8、介质填充层9、表面钝化层10、P面电极11、P型金属接触12和ALD层13，所述限制层8上开设有用于出光的限制孔15，所述限制层8的材料包括Bi2Se3。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华辰芯光(无锡)半导体有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市新吴区锡梅路111-10号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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