中兴通讯股份有限公司刘凤鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中兴通讯股份有限公司申请的专利提高系统DRAM可靠性的方法、装置和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910826187.3，技术领域涉及：G11C11/4074；该发明授权提高系统DRAM可靠性的方法、装置和存储介质是由刘凤鹏;刘冬梅设计研发完成，并于2019-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高系统DRAM可靠性的方法、装置和存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高系统DRAM可靠性的方法。该方法包括：获得DRAM的表现电压，对所述表现电压的电压值进行可靠性校验；根据可靠性校验的验证结果计算DRAM理想模型下的供电电压的电压偏差值；根据所述电压偏差值对所述DRAM的供电电压进行调整。本发明还公开了一种提高系统DRAM可靠性的装置及计算机可读存储介质。本发明能够实现使系统DRAM具有更高的可靠性。
本发明授权提高系统DRAM可靠性的方法、装置和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种提高系统DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述提高系统DRAM可靠性的方法包括以下步骤： 获得DRAM的表现电压，对所述表现电压的电压值进行可靠性校验，其中，所述表现电压是指动态随机存取存储器的电压，所述可靠性校验用于进行输出逻辑验证，以判断表现电压的逻辑输出结果是否正确； 根据可靠性校验的校验结果计算DRAM理想模型下的供电电压的电压偏差值，其中，所述电压偏差值为理想DRAM模型对应的最优表观电压与实时供电电压之间的差值； 根据所述电压偏差值对所述DRAM的供电电压进行调整。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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