富士电机株式会社泷泽直树获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112236855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980037057.X，技术领域涉及：H01L23/12；该发明授权半导体装置是由泷泽直树设计研发完成，并于2019-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：兼顾散热性和耐久性。半导体装置1包括：绝缘电路基板2，其具有绝缘板20、形成于绝缘板的上表面的第1金属层21、以及形成于绝缘板的下表面的第2金属层22；散热器10，在该散热器10的上表面配置绝缘电路基板；半导体元件3，其借助接合材料配置于第1金属层的上表面；以及外壳11，其包围绝缘电路基板和半导体元件的周围。第1金属层具有与半导体元件电连接的电路层23、24、25和相对于电路层空开间隙并形成为包围电路层的周围的环状层26。第2金属层配置于与环状层相对的部位。壳体部借助粘接剂B固定于环状层。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 该半导体装置包括： 绝缘电路基板，其具有绝缘板、形成于所述绝缘板的上表面的第1金属层、以及形成于所述绝缘板的下表面的第2金属层； 半导体元件，其借助接合材料配置于所述第1金属层的上表面；以及 壳体部，其包围所述绝缘电路基板和所述半导体元件的周围， 所述第1金属层具有与所述半导体元件电连接的电路层和相对于所述电路层空开间隙并形成为包围所述电路层的周围的环状层， 所述第2金属层在与所述环状层相对的部位具有朝向所述绝缘板凹陷的第1凹部， 所述壳体部借助粘接剂固定于所述环状层， 所述第2金属层的体积接近所述第1金属层的体积， 在俯视时所述间隙与所述第1凹部不互相重叠， 所述环状层具有朝向所述绝缘板凹陷的第2凹部， 所述第1凹部和所述第2凹部设于在俯视时不互相重叠的位置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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