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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786435B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911080521.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体结构及其制备方法是由吴秉桓设计研发完成，并于2019-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法；包括如下步骤：提供基底，基底划分为若干个芯片区域；于基底上形成保护层，保护层覆盖切割道及芯片区域；对保护层进行曝光显影，以于保护层覆盖芯片区域的区域内形成若干个凹槽，凹槽的深度小于保护层的厚度。上述半导体结构的制备方法通过在保护层覆盖芯片区域内形成若干个凹槽，可以增加保护层的表面粗糙程度及表面积，从而提高后段封装时保护层与塑封层的接着性。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供基底，所述基底划分为若干个芯片区域； 于所述基底上形成保护层，所述保护层覆盖所述芯片区域； 对所述保护层进行曝光显影，以于所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成若干个凹槽，所述凹槽的深度小于所述保护层的厚度；其中，对所述保护层进行曝光显影，以于所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成若干个所述凹槽包括如下步骤： 将第一光罩置于所述保护层的上方，所述第一光罩对应于所述芯片区域的区域内形成有若干个第一透光区域； 基于所述第一光罩于第一曝光剂量或第一曝光能量下对所述保护层进行第一次曝光； 对曝光后的所述保护层进行显影；显影后所述第一次曝光的曝光区域内的所述保护层被去除的厚度小于所述保护层的厚度；其中，所述基底内还形成有切割道，所述切割道将所述基底划分为若干个所述芯片区域；所述切割道内形成有测试焊盘，所述保护层覆盖所述测试焊盘；进行第一次曝光之后且进行显影之前还包括如下步骤： 去除所述第一光罩；将第二光罩至于所述保护层的上方，所述第二光罩对应于所述测试焊盘的区域内形成有第二透光区域； 基于所述第二光罩于第二曝光剂量或第二曝光能量下对所述保护层进行第二次曝光；所述第二曝光剂量为第二次曝光的曝光区域内的所述保护层经后续显影后被完全去除的最小曝光剂量，所述第二曝光能量为第二次曝光的曝光区域内的所述保护层经后续显影后被完全去除的最小曝光能量；所述第二曝光剂量大于所述第一曝光剂量，所述第二曝光能量大于所述第一曝光能量； 其中，于所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成若干个所述凹槽之后还包括于所述保护层的上表面形成塑封层的步骤；所述塑封层的厚度大于所述凹槽的深度。

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