美光科技公司H·A·卡斯特罗获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器阵列解码及互连件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113228290B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980083373.0，技术领域涉及：H10B53/20；该发明授权存储器阵列解码及互连件是由H·A·卡斯特罗;S·W·鲁塞尔;S·H·唐设计研发完成，并于2019-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列解码及互连件在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器阵列解码及互连件。薄膜晶体管可存取安置成交叉点架构的两个或更多个存储器单元层面。所述制造技术可使用形成于复合堆叠的顶层处的一或多个通路图案，其可促进在所述复合堆叠内构建所述薄膜晶体管，同时使用数目减少的处理步骤。通过利用所述通路的不同群组，可使用所述制造技术来构建所述薄膜晶体管的不同配置。此外，可使用本文中所描述的所述薄膜晶体管及基于通路的相关制造技术来构造存储器装置的电路及组件例如解码器电路系统、一或多个存储器阵列的方面之间的互连件。
本发明授权存储器阵列解码及互连件在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，其包括： 导电插塞，其延伸穿过多个存储器单元层面； 多个晶体管，所述多个晶体管的每一晶体管包括： 半导体材料，其至少部分包围所述导电插塞；及 栅极电极，其耦合至所述半导体材料；及 驱动器，其与所述导电插塞耦合且经配置以通过所述多个晶体管的晶体管来与包含于所述多个层面中的一层面中的电极选择性耦合，其中所述电极与所述晶体管的所述半导体材料耦合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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