半导体组件工业公司小仓尚获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体组件工业公司申请的专利具有源极区域区段和主体区域区段的晶体管器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111755505B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010102083.0，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权具有源极区域区段和主体区域区段的晶体管器件是由小仓尚;广岛崇;谷口敏光;P·A·布尔克设计研发完成，并于2020-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有源极区域区段和主体区域区段的晶体管器件在说明书摘要公布了：本发明题为“具有源极区域区段和主体区域区段的晶体管器件”。在至少一个总体方面，装置可包括设置在半导体区域中并且包括栅极电极的第一沟槽和设置在半导体区域中的第二沟槽。该装置可包括设置在第一沟槽与第二沟槽之间的台面区域和设置在台面区域的顶部部分中的第一导电类型的源极区域。该装置包括设置在台面区域的侧中的第二导电类型的多个主体区域区段。多个主体区域区段沿着台面区域的侧限定与多个源极区域区段交替的图案。
本发明授权具有源极区域区段和主体区域区段的晶体管器件在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括： 第一沟槽，所述第一沟槽设置在半导体区域中并且包括栅极电极； 第二沟槽，所述第二沟槽设置在所述半导体区域中； 台面区域，所述台面区域设置在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间，所述台面区域具有沿着与竖直轴线正交的纵向轴线对准的长度，所述竖直轴线沿着所述台面区域的高度对准； 第一导电类型的多个源极区域区段，所述第一导电类型的多个源极区域区段设置在所述台面区域的一侧上；和 第二导电类型的多个主体区域区段，所述第二导电类型的多个主体区域区段设置在所述台面区域的所述侧上，所述多个主体区域区段沿着所述台面区域的所述侧限定与所述多个源极区域区段交替的图案，所述交替的图案沿着所述纵向轴线对准，其中所述多个源极区域区段和所述多个主体区域区段中的至少一者具有小于所述台面区域的宽度的横截面宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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