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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利研磨方法、半导体基板的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115349162B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080099071.5，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权研磨方法、半导体基板的制造方法是由桧座秀一;西村邦彦;滝口雄贵;柳生荣治设计研发完成，并于2020-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本研磨方法、半导体基板的制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体基板的制造方法，在由金刚石、碳化硅、氮化镓和蓝宝石中的任一种构成的被加工物基板的成为研磨对象的主面形成由过渡金属构成的催化剂金属膜，在氧化剂药液中使形成有催化剂金属膜的被加工物基板与研磨平台相对运动，除去由活性自由基与被加工物基板的主面的表面原子的化学反应而生成的化合物，由此对被加工物基板进行研磨，其中活性自由基由催化剂金属膜与氧化剂药液的反应产生。准备在生长基板的主面上形成有氮化物半导体层的外延基板和支承基板，将外延基板的氮化物半导体层和支承基板经由树脂粘接层贴合，除去生长基板，使氮化物半导体层露出。采用常温接合法将经研磨的被加工物基板在氮化物半导体层上接合，除去支承基板和树脂粘接层。

本发明授权研磨方法、半导体基板的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的制造方法，具备： （a）在由金刚石、碳化硅、氮化镓和蓝宝石中的任一种构成的被加工物基板的成为研磨对象的主面形成由过渡金属构成的催化剂金属膜的工序， （b）在氧化剂药液中使形成有所述催化剂金属膜的所述被加工物基板与研磨平台相对运动，去除由活性自由基与所述被加工物基板的所述主面的表面原子的化学反应而生成的化合物，由此对所述被加工物基板进行研磨的工序，其中，所述活性自由基由所述催化剂金属膜与所述氧化剂药液的反应而产生， （c）准备在作为半导体基板的生长基板的主面上使氮化物半导体层外延生长而成的外延基板和支承基板，在所述生长基板的所述氮化物半导体层与所述支承基板的主面之间形成树脂粘接层，将所述外延基板与所述支承基板贴合的工序， （d）在所述工序（c）之后，去除所述生长基板，使所述氮化物半导体层露出的工序， （e）在所述工序（d）之后，利用常温接合法将通过所述工序（b）研磨的所述被加工物基板接合于所述氮化物半导体层上的工序，和 （f）在所述工序（e）之后，去除所述支承基板和所述树脂粘接层的工序。

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