新唐科技日本株式会社政元启明获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113939920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080039798.4，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权半导体发光元件是由政元启明;大屋满明;林茂生;广木均典;粂雅博;西川学设计研发完成，并于2020-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光元件在说明书摘要公布了：半导体发光元件具备：半导体层，由化合物半导体构成；以及n侧电极，配置在半导体层上，具有供电部和从供电部延伸的延伸部；供电部的宽度比延伸部的宽度大；n侧电极具有配置在半导体层侧的n侧电极层和配置在n侧电极层之上的n侧布线层；n侧电极层具有配置在供电部的第1金属层、以及配置在比第1金属层靠延伸部侧并且与第1金属层直接连接的第2金属层；第1金属层及第2金属层与半导体层欧姆连接；第1金属层的电导率比第2金属层的电导率高；n侧布线层连续地配置在第1金属层及第2金属层上。
本发明授权半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，其特征在于， 具备： 半导体层，由化合物半导体构成；以及 电极，配置在所述半导体层上，具有供电部和从所述供电部延伸的延伸部； 所述供电部的宽度比所述延伸部的宽度大； 所述电极具有配置在所述半导体层侧的电极层和配置在所述电极层之上的布线层； 所述电极层具有配置在所述供电部的第1金属层、以及配置在比所述第1金属层靠所述延伸部侧并且与所述第1金属层直接连接的第2金属层； 所述第1金属层及所述第2金属层与所述半导体层欧姆连接； 所述第1金属层的电导率比所述第2金属层的电导率高； 所述布线层连续地配置在所述第1金属层及所述第2金属层上。
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