苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利Ⅲ族氮化物结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115552566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080097530.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权Ⅲ族氮化物结构及其制作方法是由程凯设计研发完成，并于2020-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本Ⅲ族氮化物结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种Ⅲ族氮化物结构及其制作方法，制作方法中，先在衬底上形成第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜，进行第一次外延生长，形成未愈合的第二Ⅲ族氮化物外延层；再至少在第二Ⅲ族氮化物外延层上形成第二掩膜层；以第二掩膜层为掩膜，对第二Ⅲ族氮化物外延层进行第二次外延生长，以横向生长形成第三Ⅲ族氮化物外延层，第三Ⅲ族氮化物外延层愈合第二Ⅲ族氮化物外延层；之后对第三Ⅲ族氮化物外延层进行第三次外延生长，以形成第四Ⅲ族氮化物外延层。由于第二Ⅲ族氮化物外延层的位错主要为厚度方向延伸的位错，因而对其横向生长可阻断位错继续向上延伸，从而可显著降低第三、第四Ⅲ族氮化物外延层的位错密度。
本发明授权Ⅲ族氮化物结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种Ⅲ族氮化物结构的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底10上形成第一掩膜层12；以所述第一掩膜层12为掩膜，进行第一次外延生长，以在所述衬底10与所述第一掩膜层12上生长形成第二Ⅲ族氮化物外延层13，位于所述第一掩膜层12上的所述第二Ⅲ族氮化物外延层13未愈合，其中，所述第一次外延生长包括横向与厚度方向上的生长； 至少在所述第二Ⅲ族氮化物外延层13上形成第二掩膜层14；以所述第二掩膜层14为掩膜，对所述第二Ⅲ族氮化物外延层13进行第二次外延生长，以横向生长形成第三Ⅲ族氮化物外延层15，所述第三Ⅲ族氮化物外延层15愈合所述第二Ⅲ族氮化物外延层13； 对所述第三Ⅲ族氮化物外延层15进行第三次外延生长，以在所述第三Ⅲ族氮化物外延层15以及所述第二掩膜层14上生长形成第四Ⅲ族氮化物外延层16。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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