三星电子株式会社文齐琡获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010472972.6，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权非易失性存储器件是由文齐琡;姜书求;孙荣晥;金森宏治;韩智勋设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器件在说明书摘要公布了：一种非易失性存储器件包括：模结构，其具有在衬底上的字线以及在字线上的第一串选择线和第二串选择线的堆叠；穿过模结构的第一切割结构；穿过模结构的第二切割结构，第二切割结构与第一切割结构间隔开；穿透模结构以连接到衬底的沟道结构，该沟道结构在第一切割结构与第二切割结构之间；第一切割线，其切割穿过第一串选择线但不穿过第二串选择线，第一切割线在第一切割结构与沟道结构之间；以及第二切割线，其切割穿过第二串选择线但不穿过第一串选择线，第二切割线在第二切割结构与沟道结构之间。
本发明授权非易失性存储器件在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器件，包括： 在衬底上的模结构，所述模结构包括字线和串选择线的堆叠，并且所述串选择线包括在所述字线上的第一串选择线和第二串选择线； 穿过所述模结构的第一切割结构； 穿过所述模结构的第二切割结构，所述第二切割结构与所述第一切割结构间隔开； 穿透所述模结构以连接到所述衬底的沟道结构，所述沟道结构在所述第一切割结构与所述第二切割结构之间； 第一切割线，其穿过所述第一串选择线但不穿过所述第二串选择线，所述第一切割线在所述第一切割结构与所述沟道结构之间；以及 第二切割线，其穿过所述第二串选择线但不穿过所述第一串选择线，所述第二切割线在所述第二切割结构与所述沟道结构之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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