美光科技公司S·索尔斯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有竖直间隔开的沟道材料区段的集成组件和形成集成组件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114127933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080050677.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权具有竖直间隔开的沟道材料区段的集成组件和形成集成组件的方法是由S·索尔斯;D·雷斯纳蒂;P·泰萨里欧;R·J·希尔;J·D·霍普金斯设计研发完成，并于2020-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有竖直间隔开的沟道材料区段的集成组件和形成集成组件的方法在说明书摘要公布了：一些实施例包含一种具有交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠的NAND存储器阵列。所述导电层级包含控制栅极区。高k介电材料邻近所述控制栅极区，且被配置为彼此竖直间隔开的第一竖直延伸线性区段的布置。电荷阻挡材料邻近所述高k介电材料且被配置为彼此竖直间隔开的第二竖直延伸线性区段的布置。电荷存储材料邻近所述电荷阻挡材料且被配置为彼此竖直间隔开的第三竖直延伸线性区段的布置。栅极介电材料邻近所述电荷存储材料。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸，且邻近所述栅极介电材料。一些实施例包含集成组件以及形成集成组件的方法。
本发明授权具有竖直间隔开的沟道材料区段的集成组件和形成集成组件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成结构，其包括： 交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠； 沟道材料，其竖直延伸穿过所述堆叠； 所述导电层级，其具有面向所述沟道材料的前表面，且具有从所述前表面向后延伸的上表面和下表面； 高k介电材料，其布置成竖直堆叠的第一区段；所述高k介电材料沿着所述导电层级的所述前表面且不沿着所述导电层级的所述上表面和下表面； 电荷阻挡材料，其布置成竖直堆叠的第二区段；所述第二区段邻近所述第一区段； 电荷存储材料，其布置成竖直堆叠的第三区段；所述第三区段邻近所述第二区段； 栅极介电材料，其邻近所述电荷存储材料，且在所述电荷存储材料与所述沟道材料之间；以及 空隙，其暴露所述导电层级的导电部分且延伸至所述电荷阻挡材料中，使得所述电荷阻挡材料的所述第二区段的竖直尺寸大于所述高k介电材料的所述第一区段的竖直尺寸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号