世界先进积体电路股份有限公司钒达·卢获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010763504.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电子迁移率晶体管是由钒达·卢;黄嘉庆;陈志谚设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括：一通道层，设置于一基底上；一阻障层，设置于所述通道层上；一第一化合物半导体层，设置于所述阻障层上；以及，一第二化合物半导体层，设置于所述阻障层和所述第一化合物半导体层之间。其中，所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层包括一金属掺质的一浓度分布，该浓度分布于所述第一化合物半导体层具有一第一波峰，且该浓度分布于所述第二化合物半导体层具有一第二波峰。
本发明授权高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： 一通道层，设置于一基底上； 一阻障层，设置于所述通道层上； 一第一化合物半导体层，其为P型半导体层，设置于所述阻障层上；以及， 一第二化合物半导体层，其为P型半导体层，设置于所述阻障层和所述第一化合物半导体层之间，其中所述第一化合物半导体层包括一金属掺质的一第一浓度分布，所述第二化合物半导体层包括所述金属掺质的一第二浓度分布，该第一浓度分布于所述第一化合物半导体层具有一第一波峰，且该第二浓度分布于所述第二化合物半导体层具有一第二波峰。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人世界先进积体电路股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号